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Nuevo y original 50 TRIAC BTA40-600 del módulo de poder del Mosfet del mA 40A

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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Nuevo y original 50 TRIAC BTA40-600 del módulo de poder del Mosfet del mA 40A

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Número de modelo :BTA40-600
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :5pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :850pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
ÉL (RMS) :40 A
VDRM/VRRM :600 y 800 V
IGT (Q1) :50 mA
IGM :8 A
PÁGINA (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) :1 W
I t :880 un s
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TRIAC 40A
 
CARACTERÍSTICAS PRINCIPALES:Nuevo y original 50 TRIAC BTA40-600 del módulo de poder del Mosfet del mA 40A

   Símbolo             Valor        Unidad
  IT(RMS)             40         A
  VDRM/VRRM            600 y 800         V
  IGT(Q1)             50        mA

 
DESCRIPCIÓN
Disponible en paquetes del poder más elevado, la serie de BTA/BTB40-41 es conveniente para la transferencia de fines generales de la corriente ALTERNA. Pueden ser utilizados como función CON./DESC. en usos tales como retransmisiones estáticas, regulación de calefacción, calentadores de agua, motor de inducción que enciende los circuitos, equipo de soldadura… o para la operación de control de la fase en reguladores de la velocidad del motor del poder más elevado, el comienzo suave circula…
 
Los gracias a su técnica del montaje del clip, proporcionan un rendimiento superior en la sobretensión que maneja capacidades.
 
Usando un cojín de cerámica interno, la serie de BTA proporciona voltaje etiqueta aislada (clasificada en 2500 V RMS) que cumple con los estándares de la UL (referencia del fichero.: E81734).
 
 
 

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS

  Símbolo                                              Parámetro        Valor    Unidad

   IT(RMS)
 

  Corriente del en-estado del RMS
  (onda sinusoidal completa)
 

      RD91   Tc = 80°C       40      A
      TOP3
      Ins TOP3.   Tc = 70°C
  ITSM

  En-estado no repetidor del pico de la oleada
 corriente (ciclo completo, inicial de Tj = 25°C)

  F = 60 herzios   t = ms 16,7      420      A
  F = 50 herzios    t = ms 20      400
   Él   Valor de I t para fundirse                      tp = ms 10       880      Un s
  dI/dt

  Índice crítico de subida de la corriente del en-estado
  IG =2xIGT, ≤ 100 ns del tr

  F = 120 herzios   Tj = 125°C       50     A/µs
VDSM/VRSM   Voltaje no repetidor del apagado-estado del pico de la oleada   tp = ms 10   Tj = 25°C

 VDRM/VRRM
    + 100

     V
  IGM   Corriente máxima de la puerta   tp = 20 µs    Tj = 125°C        8      V
  PG(SISTEMA DE PESOS AMERICANO)   Disipación de poder media de la puerta   Tj = 125°C        1      W

  Stgde T
   Tj

  Gama de temperaturas de empalme del almacenamiento
  Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme

 - 40 a + 150
 - 40 a + 125

     °C

 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Tj = 25°C, salvo especificación de lo contrario)

 Símbolo       Condiciones de prueba   Cuadrante       Valor    Unidad
  IGT (1)   VD = 12 V RL = Ω 33

   I - II - III
      IV

   MÁXIMO.

     50
    100

  mA
 

  VGT    TODOS    MÁXIMO.      1,3    V
  VGD  VD = VDRM RL = 3,3 kΩ Tj = 125°C    TODOS     MÍNIMO.      0,2    V
  IH (2)  IT = 500 mA     MÁXIMO.      80    mA
  IL  IG = 1,2 IGT

  I - III - IV
      II

    MÁXIMO.
 

     70
    160

   mA
 dV/dt (2)   VD del = puerta T abierto 67% VDRMj = 125°C     MÍNIMO.      500   V/µs
(dV/dt) c (2)   (dI/dt) c = 20 A/ms Tj = 125°C     MÍNIMO.       10   V/µs

 

Carro de la investigación 0