Canales elegantes del interruptor del Alto-lado dos: 2 sentido actual de x 30mΩ
Paquete del resumen del producto
| Bb del voltaje de funcionamiento V(encendido) | 5,0… 34V |
| Canales activos | uno | paralelo dos |
| resistencia R del En-estadoENCENDIDO | 30mΩ | 15mΩ |
| Corriente nominal IL(NOM)de la carga | 5.5A | 8.5A |
| Limitación actual IL(SCR) | 24A | 24A |
Descripción general
• El MOSFET vertical del poder del canal N con la bomba de carga, molió la entrada compatible referida del Cmos,
el sentido actual de la reacción de diagnóstico y de la carga proporcional integró monolítico en elegante de SIPMOS
tecnología.
• Abastecimiento de funciones protectoras integradas
Usos
• el interruptor compatible del alto-lado del µC con la reacción de diagnóstico para 12V y 24V puso a tierra cargas
• Todos los tipos de cargas resistentes, inductivas y del capacitve
• El más conveniente para las cargas con las altas corrientes de la avalancha, para lámparas
• Substituye las retransmisiones electromecánicas, los fusibles y los circuitos discretos
Funciones básicas
• Entrada compatible del Cmos
• Cierre del Undervoltage y de la sobretensión con auto-recomienzo e histéresis
• Desmagnetización rápida de cargas inductivas
• Independiente de tierra de la lógica de la tierra de la carga
Funciones de la protección
• Protección del cortocircuito
• Protección contra sobrecarga
• Limitación actual
• Cierre termal
• Protección de la sobretensión (descarga incluyendo de la carga) con externo
resistor
• Protección reversa de la batería con el resistor externo
• Pérdida de tierra y pérdida de protección de Vbb
• Protección de la descarga electrostática (ESD)
Funciones de diagnóstico
• Sentido actual de la carga de Proportinal
• Reacción de diagnóstico con salida abierta del dren
• Abra la detección de la carga en Apagado-estado con el resistor externo
• Reacción del cierre termal en En-estado
Diagrama funcional
Grados máximos en Tj = 25°C salvo especificación de lo contrario
| Parámetro | Símbolo | Valores | Unidad |
| Voltaje de fuente | Bb V | 43 | V |
| Voltaje de fuente para la protección completa Tj, comienzo =-40… +150°C del cortocircuito | Bb V | 34 | V |
| Corriente de la carga | IL | uno mismo-limitado | A |
Descarga protection1) VLoadDump = V de la cargaA + Vs, VA = 13,5 V
RI 2) = 2 Ω, td = ms 200; IN= bajos o altos,
cada canal cargó con RL = el Ω 7,0, | VLoaddump3)
| 60
| V
|
Gama de temperaturas de funcionamiento
Gama de temperaturas de almacenamiento | Tj
Stgde T | -40… +150
-55… +150 | °C
|
Disipación de poder (DC) 4) TA = 25°C:
(todo canaliza el active) TA = 85°C: | Bebéde P
| | |
Inductancia cambiable máxima, solo pulso
Vbb =12V, Tj, comienzo =150°C4),
IL = 5,5 A, ECOMO = 370 mJ, canal 0Ω uno:
IL = 8,5 A, ECOMO = 790 mJ, canales paralelos 0Ω dos: |
ZL
|
18
16 |
Mh |
Capacidad de la descarga electrostática (ESD) EN:
(Modelo del cuerpo humano) el ST, ES:
hacia fuera al resto de los pernos puestos en cortocircuito:
CRNA. MIL-STD883D, método 3015,7 y ESD asoc. estándar S5.1-1993
R=1.5kΩ; C=100pF | VESD
| 1,0
4,0
8,0
| kilovoltio
|
| Voltaje de entrada (DC) | VADENTRO | -10… +16 | V |
Corriente a través del perno de la entrada (DC)
Corriente a través del perno de la situación (DC)
Corriente a través del perno actual del sentido (DC) | IADENTRO
IST
IES | ±2.0
±5.0
±14 | mA
|
