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N - Transistor de efecto de campo del modo del aumento del nivel de la lógica del canal P0903BDL

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Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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China N - Transistor de efecto de campo del modo del aumento del nivel de la lógica del canal P0903BDL wholesale
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N - Transistor de efecto de campo del modo del aumento del nivel de la lógica del canal P0903BDL
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Número de modelo :P0903BDL
Lugar del origen :Original
Cantidad de orden mínima :5pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :290pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Voltaje de la Puerta-Fuente :20 V
Corriente continua del dren :50 A
Dren pulsado Current1 :200 A
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento :°C -55 a 150
Temperatura de la ventaja (1 /16” del caso para el sec 10.) :°C 275
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GRADOS Y CARACTERÍSTICAS del DIODO de SOURCE-DRAIN (TC = °C) 25

Corriente continua   IS       50      A
Corriente pulsada3   ISM       150
Voltaje delantero1 VSD IS = 25A, VGS = 0V   0,9 1,3      V
Tiempo de recuperación reversa trr IF = IS, dlF/dt = 100A/µS   70        nS
Corriente de recuperación reversa máxima IRM (REC)   200          A 
Carga reversa de la recuperación     0,043        µC

 

 

CARACTERÍSTICAS TÍPICAS

N - Transistor de efecto de campo del modo del aumento del nivel de la lógica del canal P0903BDL

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