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Los transistores del doble del transistor del Mosfet del poder de NPN hicieron salir los cierres 3-State 74AHCT595

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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Los transistores del doble del transistor del Mosfet del poder de NPN hicieron salir los cierres 3-State 74AHCT595

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Número de modelo :74AHCT595
Lugar del origen :Fábrica original
Cantidad de orden mínima :50pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :9000pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Niveles de introducción de datos 1 :El 74AHC595 actúa con los niveles de introducción de datos del Cmos
Niveles de introducción de datos 2 :El 74AHCT595 actúa con los niveles de introducción de datos de TTL
Protección 1 del ESD :HBM JESD22-A114E excede 2000 V
Protección 2 del ESD :El milímetro JESD22-A115-A excede 200 V
Protección 3 del ESD :CDM JESD22-C101C excede 1000 V
CARACTERÍSTICA 6 :Especificado del °C −40 al °C +85 y del °C −40 al °C +125
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1. Descripción general

 

                        El 74AHC595; 74AHCT595 son dispositivos de alta velocidad de la Si-puerta Cmos y son perno

                        compatible con Schottky de baja potencia TTL (LSTTL). Se especifican de acuerdo con

                        Estándar no 7A de JEDEC.

 

                        El 74AHC595; 74AHCT595 son 8 registros de cambio seriales de la etapa con un registro de almacenamiento y

                        salidas 3-state. Los registros tienen relojes separados.

 

                        Los datos se desplazan en las transiciones positivo-que van de la entrada de reloj del registro de cambio (SHCP).

                        Los datos en cada registro se transfieren al registro de almacenamiento en positivo-ir

                        transición de la entrada de reloj del registro de almacenamiento (STCP). Si ambos relojes están conectados juntos,

                        el registro de cambio será siempre un impulso de reloj delante del registro de almacenamiento.

 

                        El registro de cambio tiene una entrada serial (DS) y una salida estándar serial (Q7S) para conectar en cascada.

                        También se proporciona el reset asincrónico (PUNTO BAJO activo) para las 8 etapas del registro de cambio.

                        el registro de almacenamiento tiene 8 salidas del conductor del autobús del estado del paralelo 3. Datos en el registro de almacenamiento

                        aparece en la salida siempre que la salida permita entrar (OE) sea BAJA

 

2. Características

 

                        Retrasos de propagación equilibrados del ■

                        El ■ todas las entradas tiene acción del Schmitt-disparador

                        Las entradas del ■ aceptan voltajes más arriba que Vcc

                        Niveles de introducción de datos del ■:

                            ◆ que El 74AHC595 actúa con los niveles de introducción de datos del Cmos

                            ◆ que El 74AHCT595 actúa con los niveles de introducción de datos de TTL

                        Protección del ESD del ■:

                            El ◆ HBM JESD22-A114E excede 2000 V

                            El ◆ milímetro JESD22-A115-A excede 200 V

                            El ◆ CDM JESD22-C101C excede 1000 V

                        Opciones múltiples del paquete del ■

                        ■ especificado del °C −40 al °C +85 y del °C −40 al °C +125

 

3. Usos

 

                        conversión de datos Serial-a-paralela del ■

                        Registro de tenencia teledirigido del ■

 

4. Información el ordenar

 

Mecanografíe el número Paquete
Gama de temperaturas       Nombre  Descripción     Versión
74AHC595        
74AHC595D

°C −40 al °C +125               

                                                                                                                           

SO16

pequeño paquete plástico del esquema; 16 ventajas; cuerpo

anchura 3,9 milímetros

SOT109-1
74AHC595PW

°C −40 al °C +125    

TSSOP16 pequeño paquete del esquema del encogimiento fino plástico; 16 ventajas; anchura del cuerpo 4,4 milímetros SOT403-1
74AHC595BQ

°C −40 al °C +125     

DHVQFN16

la termal compatible en línea dual plástica aumentó el paquete plano del patio muy fino; ningunas ventajas; 16 terminales; × 3,5 ×0.85mm del cuerpo 2,5 

 

SOT763-1

 

5. Diagrama funcional

 

Los transistores del doble del transistor del Mosfet del poder de NPN hicieron salir los cierres 3-State 74AHCT595

Carro de la investigación 0