TLP550 TOSHIBA Fotoacoplador LED infrarrojo + foto IC
Unidad de aislamiento de la lógica degital en mm
Línea Evaluación del control del receptor
Control de alimentación
Fuente de alimentación conmutada
transistor Inversor
TLP550 construye un diodo emisor de alta y un chip fototransistor diode-.
TLP550 no tiene ninguna conexión base, y es adecuado para su aplicación en las condiciones ambientales ruidoso.
Esta unidad está encapsulado DIP 8-plomo.
- Tensión de aislamiento: 2500 Vrms (min.)
- velocidad de conmutación: tphl, tplh = 0.5μs (typ.) (RL = 1,9 kW)
- compatible con TTL
- Reconocimiento UL: UL1577, expediente No. E67349 Pi
Configuración de patillas (vista superior) Esquema
Calificaciones Máximo (Ta = 25 ° C)
| Característica | Símbolo | Clasificación | Unidad |
| LED | corriente directa (Nota 1) | I F | 25 | mamá |
| Impulso de corriente hacia adelante (Nota 2) | me FP | 50 | mamá |
| transitoria pico de corriente directa (Nota 3) | me FPT | 1 | UN |
| Tensión inversa | V R | 5 | V |
| disipación de potencia del diodo (Nota 4) | P D | 45 | mW |
| Detector | Corriente de salida | I O | 8 | mamá |
| corriente de salida pico | me OP | dieciséis | mamá |
| Tensión de alimentación | V CC | - 0,5 ~ 15 | V |
| Tensión de salida | O V | - 0,5 ~ 15 | V |
| disipación de potencia de salida (Nota 5) | P O | 100 | mW |
| Rango de temperatura de funcionamiento | T opr | -55 ~ 100 | DO |
| Temperatura de almacenamiento | T STG | -55 ~ 125 | DO |
| temperatura de soldadura de plomo (10s) | T sol | 260 | DO |
| Tensión de aislamiento (CA, 1 min., HR = 40 ~ 60%) (Nota 6) | S BV | 2500 | Vrms |
(Nota 1) Derratee 0.8mA por encima de 70 ° C.
(Nota 2) El ciclo de trabajo del 50%, de 1 ms de ancho de pulso. Derratee 1.6mA / ° C por encima de 70 ° C.
(Nota 3) 1μs ancho de pulso, 300pps.
(Nota 4) Derratee 0.9mW / ° C por encima de 70 ° C.
(Nota 5) Derratee 2mW / ° C por encima de 70 ° C.
