Interruptor DC - 2 gigahertz SW-289 del GaAs DPDT
Características
- Mismo bajo consumo de energía: µW 100
- Pérdida de inserción baja: 0,5 DB
- Alto aislamiento: DB 25 hasta 2 gigahertz
- Punto muy alto de la intercepción: IP3 de 48 dBm
- Velocidad de transferencia del nanosegundo
- Gama de temperaturas: -40˚C a +85˚C
- Paquete del plástico del bajo costo SOIC14
- Grabe y aspe empaquetando1 disponible
Descripción
M/A-COM SW-289 es un interruptor del GaAs MMIC DPDT en un paquete superficial del plástico del soporte de la ventaja del bajo costo SOIC 14. El SW-289 se adapta idealmente para el uso tales como donde mismo está el bajo consumo de energía con referencia a re D. usos típicos de q u i incluye la transferencia de la transmisión/recepción, matrices de interruptor, los atenuadores digitales del paso, y los bancos de filtro en sistemas: el equipo de radio y celular, el PCM, el GPS, los módulos de la fibra óptica, y el otro equipo de radio con pilas.
El SW-289 se fabrica con un GaAs monolítico MMIC usando un proceso maduro de 1 micrón. El proceso ofrece la estabilización completa del microprocesador para el funcionamiento y la confiabilidad crecientes.
Especificaciones eléctricas, TA = +25°C
| Parámetro |
Condiciones de prueba2 |
Unidad |
Mínimo. |
Tipo. |
Máximo. |
| Pérdida de inserción |
DC – 0,1 gigahertz
DC – 0,5 gigahertz
DC – 1,0 gigahertz
DC – 2,0 gigahertz
|
DB
DB
DB
DB
|
|
0,35
0,35
0,4
0,6
|
0,5
0,5
0,6
0,8
|
| Aislamiento |
DC – 0,1 gigahertz
DC – 0,1 gigahertz
DC – 1,0 gigahertz
DC – 2,0 gigahertz
|
DB
DB
DB
DB
|
50
40
32
20
|
56
43
35
23
|
|
| VSWR |
DC – 2,0 gigahertz |
|
1.3:1 |
|
|
|
Trise, Tfall
Tonelada, ricachón
Transeúntes
|
el 10% hasta el 90% RF, el 90% hasta el 10% RF
Control del 50% hasta el 90% RF, control del 50% hasta el 10% RF
En banda
|
nS
nS
milivoltio
|
|
3
6
15
|
|
|
Un DB
Compresión
|
Energía de entrada 0,05 gigahertz
Gigahertz de la energía de entrada 0,5 – 2,0
|
dBm
dBm
|
|
22
27
|
|
| IP2 |
Pariente medido 0,05 gigahertz
al gigahertz de la energía de entrada 0,5 – 2,0
(para la energía de entrada bicolor hasta el dBm +5)
|
dBm
dBm
|
|
54
66
|
|
| IP3 |
Pariente medido 0,05 gigahertz
al gigahertz de la energía de entrada 0,5 – 2,0
(para la energía de entrada bicolor hasta el dBm +5)
|
dBm
dBm
|
|
45
48
|
|
1. Refiera a la “cinta y aspe” sección de empaquetado, o entre en contacto con la fábrica.
2. Todas las medidas con 0, -5 voltajes del control de V en 1 gigahertz en un sistema 50W, salvo especificación de lo contrario.
Máximo absoluto Ratings1
| Parámetro |
Máximo absoluto |
|
Energía de entrada máxima
0,05 gigahertz
0,5 – 2,0 gigahertz
Controle el voltaje
Temperatura de funcionamiento
Temperatura de almacenamiento
|
dBm +27
dBm +34
+5 V, -8,5 V
-40°C a +85°C
-65°C a +150°C
|
1.Operation de este dispositivo sobre cualquier uno de éstos
los parámetros pueden causar daño permanente.
Diagrama esquemático funcional
Funcionamiento típico
