Transistores de poder planares epitaxiales del silicio de PNP/de NPN 2SC5707 para la transferencia de gran intensidad
Usos
• Convertidor de DC/de DC, conductores de la retransmisión, conductores de la lámpara, conductores del motor, flash
Características
• Adopción de los procesos de FBET y de MBIT.
• Capacitancia actual grande.
• Voltaje de saturación bajo del colector-a-emisor.
• Transferencia de alta velocidad.
• Alta disipación de poder permisible.
Especificaciones (): 2SA2040
Grados máximos absolutos en Ta=25°C
| Parámetro |
Símbolo |
Condiciones |
Grados |
Unidad |
| Voltaje de la Colector-a-base |
VCBO |
-- |
(--50) 100 |
V |
| Voltaje del Colector-a-emisor |
VCES |
-- |
(--50) 100 |
V |
| Voltaje del Colector-a-emisor |
VCEO |
-- |
(--) 50 |
V |
| Voltaje de la Emisor-a-base |
VEBO |
-- |
(--) 6 |
V |
| Corriente de colector |
IC |
-- |
(--) 8 |
A |
| Corriente de colector (pulso) |
ICP |
-- |
(--) 11 |
A |
| Corriente baja |
IB |
-- |
(--) 2 |
A |
| Disipación del colector |
PC |
--
Tc=25°C
|
1,0
15
|
W
W
|
| Temperatura de empalme |
Tj |
-- |
150 |
°C |
| Temperatura de almacenamiento |
Stgde T |
-- |
--55 a +150 |
°C |
Características eléctricas en Ta=25°C
| Parámetro |
Símbolo |
Condiciones |
mínimo. |
Tipo. |
máximo. |
unidad |
| Corriente de atajo de colector |
ICBO |
VCB= (--) 40V, ES DECIR =0A |
-- |
-- |
(--) 0,1 |
µA |
| Corriente del atajo del emisor |
IEBO |
VEB= (--) 4V, IC=0A |
-- |
-- |
(--) 0,1 |
µA |
| Aumento actual de DC |
FEde h |
VCE= (--) 2V, IC= (--) 500mA |
200 |
-- |
560 |
-- |
| Producto del Aumento-ancho de banda |
fT |
VCE= (--) 10V, IC= (--) 500mA |
-- |
(290) 330 |
-- |
Megaciclo |
| Capacitancia de salida |
Mazorca |
VCB= (--) 10V, f=1MHz |
-- |
(50) 28 |
-- |
PF |
| Voltaje de saturación del Colector-a-emisor |
VCE (sentado) 1
VCE (sentado) 2
|
IC= (--) 3.5A, IB= (--) 175mA
IC= (--) 2A, IB= (--) 40mA
|
--
--
|
(--230) 160
(--240) 110
|
(--390) 240
(--400) 170
|
milivoltio
milivoltio
|
| Base--Emitterr A voltaje de saturación |
VSEA (sentado) |
IC= (--) 2A, IB= (--) 40mA |
-- |
(--) 0,83 |
(--) 1,2 |
V |
| Voltaje de avería de la Colector-a-base |
V(BR)CBO |
IC= (--) 10µA, ES DECIR =0A |
(--50) 100 |
-- |
-- |
V |
| Voltaje de avería del Colector-a-emisor |
V(BR)CES |
IC= (--) 100µA, RBE=0Ω |
(--50) 100 |
-- |
-- |
V |
| Voltaje de avería del Colector-a-emisor |
(BR)CEO V |
IC= (--) 1mA, RBE=∞ |
(--) 50 |
-- |
-- |
V |
| Voltaje de avería de la Emisor-a-base |
V(BR)EBO |
ES DECIR = (--) 10µA, IC=0A |
(--) 6 |
-- |
-- |
V |
| Tiempo de abertura |
tencendido |
See especificó el circuito de la prueba. |
-- |
(40) 30 |
-- |
ns |
| Tiempo de almacenamiento |
stgde t |
See especificó el circuito de la prueba. |
-- |
(225) 420 |
-- |
ns |
| Tiempo de caída |
tf |
See especificó el circuito de la prueba. |
-- |
25 |
-- |
ns |
El paquete dimensiona dimensiones del paquete
unidad: unidad del milímetro: milímetro
7518-003 7003-003
Circuito de la prueba del tiempo de la transferencia
