Casa / Productos / Power Mosfet Transistor /

Usos de baja fricción encapsulados plástico del amperio de poder del transistor 2SC2274 de NPN

Categorías de Producto

microprocesador del circuito integrado

chips CI programables

Chips de la placa de circuito

Diodo de rectificador

Transistor del Mosfet del poder

3 pines del transistor

RJ45 Ethernet Jack

Sensor de presión del IC

Módulo de potencia MOSFET

SMD núcleo de ferrita

el smd llevó el diodo

Resistencias SMD

Chips electrónicos IC

componentes de la electrónica

Contacta

Anterwell Technology Ltd.

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MissSharon Yang

Ver detalles de contacto

Contacta

China Usos de baja fricción encapsulados plástico del amperio de poder del transistor 2SC2274 de NPN wholesale

China Usos de baja fricción encapsulados plástico del amperio de poder del transistor 2SC2274 de NPN wholesale

Usos de baja fricción encapsulados plástico del amperio de poder del transistor 2SC2274 de NPN

Preguntar último precio

Número de modelo :2SC2274

Lugar del origen :Fábrica original

Cantidad de orden mínima :20

Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal

Capacidad de la fuente :10000

Plazo de expedición :día 1

Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles

Alto voltaje de avería :Vceo>=50/80V

De gran intensidad :Ic=500mA

Colector al voltaje bajo :60V

Disipación de poder del colector :600mW

more

Contacta

Add to Cart

Ver descripción del producto

Transistor encapsulado plástico de NPN

2SC2274

CARACTERÍSTICAS

* alto voltaje de avería

* de gran intensidad

* voltaje de saturación bajo

**CLASIFICACIÓN DE_FEde h₍₁₎**
Producto-fila	2SC2274-D	2SC2274-E	2SC2274-F
Gama	60~120	100~200	160~320

**GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS** (TA = 25°C salvo especificación de lo contrario)
Parámetro	Símbolo	Clasificación	Unidad
Colector al voltaje bajo	V_CBO	60	V
Colector al voltaje del emisor	V_CEO	50	V
Emisor al voltaje bajo	V_EBO	5	V
Corriente de colector - continua	I_C	0,5	A
Disipación de poder del colector	P_C	600	mW
Resistencia termal del empalme a ambiente	R_delθJA	208	°C/W
Empalme, temperatura de almacenamiento	T_J, T_STG	150, -55~150	°C

**CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS** (TA = 25°C salvo especificación de lo contrario)
Parámetro	Símbolo	Mínimo.	Tipo.	Máximo.	Unidad	Condiciones de prueba
Colector para basar voltaje de avería	V_(BR)CBO	60	--	--	V	I_C=0.01mA, ES DECIR =0
Colector al voltaje de avería del emisor	_(BR)CEO V	50	--	--	V	I_C=1mA, I_B=0
Emisor para basar voltaje de avería	V_(BR)EBO	5	--	--	V	ES DECIR =0.01MA, I_C=0
Corriente de atajo de colector	I_CBO	--	--	1	μA	V_CB=40V, ES DECIR =0
Corriente del atajo del emisor	I_EBO	--	--	1	μA	V_EB=4V, I_C=0
Aumento actual de DC	_FEde h₍₁₎ _FEde h₍₂₎	60 35	-- --	320 --		V_CE=5V, I_C=50mA V_CE=5V, IC=400mA
Colector al voltaje de saturación del emisor	V_CE(sentado)	--	--	0,6	V	I_C=400mA, I_B=40mA
Base al voltaje del emisor	V_SEA(sentado)	--	--	1,2	V	I_C=400mA, I_B=40mA
Frecuencia de la transición	f_T	--	120	--	Megaciclo	V_CE=10V, I_C=10mA
Capacitancia de salida del colector	_Obde C	--	5	--	PF	V_CB=10V, f=1MHz

Etiquetas de productos:

rectifier semiconductor

semiconductor rectifier

type k thermocouple amplifier

Carro de la investigación 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4