Los transistores del mosfet del poder del rf del SILICIO de NPN para los amplificadores de potencia del RF en VHF congriegan la radio móvil, 2SC1972

DESCRIPCIÓN:

El ASI 2SC1972 se diseña para los amplificadores de potencia del RF en usos de radio móviles de la banda del VHF.

LAS CARACTERÍSTICAS INCLUYEN:

• Substituye 2SC1972 original en la mayoría de los usos

• La alta ganancia reduce requisitos de la impulsión

• Paquete económico TO-220

**GRADOS MÁXIMOS**
I_C	3,5 A
V_CBO	35 V
P_DISS	25 W @ TC = °C 25
T_STG	-55 °C al °C +175
θ_JC	6,0 °C/W

**CARACTERÍSTICAS** TC = °C 25
SÍMBOLO	CONDICIONES DE PRUEBA	MÍNIMO.	TIPO.	MÁXIMO.	UNIDADES
_CEODE LA BV	I_C = 50 mA	17			V
BV_CBO	I_C = 10 mA	35			V
BV_EBO	I_C = 10 mA	4,0			V
I_CBO	V_CES = 25 V			100	µA
I_EBO	V_EB = 3,0 V			500	µA
_FEde h	V_CE = 10 V I_C = 100 mA	10	50	180	---
η_C P_{HACIA FUERA}	V_cc = 13,5 V P_EN = 2,5 W f =175 megaciclo	60 14	70 15		% W

Los transistores del mosfet del poder del rf del SILICIO de NPN para los amplificadores de potencia del RF en VHF congriegan la radio móvil, 2SC1972

microprocesador del circuito integrado

chips CI programables

Chips de la placa de circuito

Diodo de rectificador

Transistor del Mosfet del poder

3 pines del transistor

RJ45 Ethernet Jack

Sensor de presión del IC

Módulo de potencia MOSFET

SMD núcleo de ferrita

el smd llevó el diodo

Resistencias SMD

Chips electrónicos IC

componentes de la electrónica

Los transistores del mosfet del poder del rf del SILICIO de NPN para los amplificadores de potencia del RF en VHF congriegan la radio móvil, 2SC1972

ku band power amplifier

dual band 802.11 ac

802.11 ac dual band