Mosfet complementario plástico del poder de Darlington, transistores de poder del silicio 2N6038
Los transistores de poder complementarios plásticos del silicio de Darlington se diseñan para el amplificador de fines generales y los usos que cambian low−speed.
• Alto aumento actual de DC — hFE = 2000 (tipo) @ IC = 2,0 ADC
• Voltaje de mantenimiento del Colector-emisor — @ mAdc 100
VCEO(sus) = 60 VDC (minuto) — 2N6035, 2N6038 = 80 VDC
(Minuto) — 2N6036, 2N6039
• Capacidad actual polarizada hacia adelante I de la segunda averíaS/b = 1,5 ADC @ 25 VDC
• Construcción monolítica con los resistores incorporados del emisor de base a la multiplicación de LimitELeakage
• Alto paquete del plástico del ratio TO-225AA del Funcionamiento-a-coste del ahorro de espacio
GRADOS MÁXIMOS
| Clasificación |
Símbolo |
Valor |
Unidad |
|
Voltaje 2N6034 de Collector−Emitter
2N6035, 2N6038
2N6036, 2N6039
|
VCEO |
40
60
80
|
VDC |
|
Voltaje 2N6034 de Collector−Base
2N6035, 2N6038
2N6036, 2N6039
|
VCBO |
40
60
80
|
VDC |
| Voltaje de Emitter−Base |
VEBO |
5,0 |
VDC |
|
Corriente de colector continua
Pico
|
IC |
4,0
8,0
|
ADC
Apk
|
| Corriente baja |
IB |
100 |
mAdc |
|
Disipación total del dispositivo @ TC = 25°C
Reduzca la capacidad normal sobre 25°C
|
PD |
40
320
|
W
mW/°C
|
|
Disipación total del dispositivo @ TC = 25°C
Reduzca la capacidad normal sobre 25°C
|
PD |
1,5
12
|
W
mW/°C
|
| Funcionamiento y gama de temperaturas de empalme del almacenamiento |
TJ, stgde T |
– 65 a +150 |
°C |
CARACTERÍSTICAS TERMALES
| Característico |
Símbolo |
Máximo |
Unidad |
| Resistencia termal, Junction−to−Case |
RJC |
3,12 |
°C/W |
| Resistencia termal, Junction−to−Ambient |
RJA |
83,3 |
°C/W |
Las tensiones que exceden grados máximos pueden dañar el dispositivo. Los grados máximos son grados de la tensión solamente. La operación funcional sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas no se implica. La exposición extendida a las tensiones sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas puede afectar a confiabilidad del dispositivo.
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TC = 25C a menos que se indicare en forma diferente)
| Característico |
Símbolo |
Minuto |
Máximo |
Unidad |
| DE CARACTERÍSTICAS |
|
|
|
|
|
Voltaje de mantenimiento de Collector−Emitter
(IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039
|
VCEO(sus) |
40
60
80
|
--
--
--
|
VDC |
|
Corriente de Collector−Cutoff
(VCE = 40 VDC, IB = 0) 2N6034
(VCE = 60 VDC, IB = 0) 2N6035, 2N6038
(VCE = 80 VDC, IB = 0) 2N6036, 2N6039
|
ICEO |
--
--
--
|
100
100
100
|
UA |
|
Corriente de Collector−Cutoff
(VCE = 40 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC) 2N6034
(VCE = 60 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC) 2N6035, 2N6038
(VCE = 80 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC) 2N6036, 2N6039
(VCE = 40 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6034
(VCE = 60 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6035, 2N6038
(VCE = 80 VDC, VBE (apagado) = 1,5 VDC, TC = 125C) 2N6036, 2N6039
|
ICEX |
--
--
--
--
--
--
|
100
100
100
500
500
500
|
UA |
|
Corriente de Collector−Cutoff
(VCB = 40 VDC, IE = 0) 2N6034
(VCB = 60 VDC, IE = 0) 2N6035, 2N6038
(VCB = 80 VDC, IE = 0) 2N6036, 2N6039
|
ICBO |
--
--
--
|
0,5
0,5
0,5
|
mAdc |
| Corriente de Emitter−Cutoff (VBE = 5,0 VDC, IC = 0) |
IEBO |
-- |
2,0 |
mAdc |
| EN CARACTERÍSTICAS |
|
|
|
|
|
Aumento actual de DC
(IC = 0,5 ADC, VCE = 3,0 VDC)
(IC = 2,0 ADC, VCE = 3,0 VDC)
(IC = 4,0 ADC, VCE = 3,0 VDC)
|
hFE |
500
750
100
|
--
15.000
--
|
-- |
|
Voltaje de saturación de Collector−Emitter
(IC = 2,0 ADC, IB = mAdc 8,0)
(IC = 4,0 ADC, IB = mAdc 40)
|
VCE(sentado) |
--
--
|
2,0
3,0
|
VDC |
|
Voltaje de saturación de Base−Emitter
(IC = 4,0 ADC, IB = mAdc 40)
|
VSEA(sentado) |
-- |
4,0 |
VDC |
|
Base−Emitter en voltaje
(IC = 2,0 ADC, VCE = 3,0 VDC)
|
VSEA(encendido) |
-- |
2,8 |
VDC |
| CARACTERÍSTICAS DINÁMICAS |
|
|
|
|
|
Small−Signal Current−Gain
(IC = 0,75 ADC, VCE = 10 VDC, f = 1,0 megaciclos)
|
|FEde h| |
25 |
-- |
-- |
|
Capacitancia de salida
(VCB = 10 VDC, IE = 0, f = 0,1 megaciclos) 2N6034, 2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039
|
Obde C |
--
--
|
200
100
|
PF |
Datos registradoes JEDEC de los *Indicates.
