Transistor BIPOLAR nuevo/original del Mosfet del poder de NPN 120 voltios 0,5 amperios de 2N1893
Grados máximos
| CLASIFICACIÓN | SÍMBOLO | MÁXIMO. | UNIDAD
|
| Voltaje del Colector-emisor | VCEO | 80 | VDC |
| Voltaje del Colector-emisor | VCER | 100 | VDC |
| Voltaje de la Colector-base | VCBO | 120 | VDC |
| Voltaje de la Emisor-base | VEBO | 7,0 | VDC |
| Corriente de colector - continua | IC | 0,5 | ADC |
| La disipación total @ T del dispositivo A = 25oC reduce la capacidad normal sobre 25oC | PD | 0,8
4,57 | Vatio mW/oC |
| La disipación total @ T del dispositivo C = 25oC reduce la capacidad normal sobre 25oC | PD | 3,0
17,2 | Vatio mW/oC |
| Gama de temperaturas de funcionamiento | TJ | -55 a +200 | Oc |
| Gama de temperaturas de almacenamiento | TS | -55 a +200 | Oc |
| Resistencia termal, empalme a ambiente | RdelqJA | 219 | oC/W |
| Resistencia termal, empalme al caso | RdelqJA | 58 | oC/W |
Parámetros eléctricos (TA @ 25°C salvo especificación de lo contrario)| CARACTERÍSTICAS | SÍMBOLO | MÍNIMO. | TIPO. | MÁXIMO. | UNIDAD |
| De características | | | | |
| Voltaje de avería del Colector-emisor (I C = 100 mAdc, RBE = 10 ohmios) (1) | BVCER | 100 | | -- |
| Voltaje de mantenimiento del Colector-emisor (1) (I C = 30 mAdc, IB = 0) (1) | CEODE LA BV | 80 | | -- |
| Voltaje de avería de la Colector-base (I C = 100 mAdc, IE = 0) | BV(BR)CBO | 120 | | -- | VDC |
| Voltaje de avería de la Emisor-base (IE = 100 mAdc, IC = 0) | BV(BR)CBO | 7,0 | | -- |
| Corriente de atajo de colector (CB de V = 90 VDC, IE = 0) (CB de V = 90 VDC, IE = 0, TA = 150o C) | ICBO | --
-- | | 0,01
15 | mAdc |
| Corriente del atajo del emisor (VEB = 5,0 VDC, IC = 0) | IEBO | -- | | 0,01 | mAdc |
| En características | | | | | |
| D.C. Aumento actual (IC = 0,1 mAdc, VCE = 10 VDC) (I C = 10mAdc, VCE = 10 VDC) (1) (I C = 10mAdc, VCE = 10 VDC, TA = -55o C) (1) (I C = 150mAdc, VCE = 10 VDC) (1) | FEde h | 20
35
20
40 | | --
--
--
120 | -- |
| Voltaje de saturación del Colector-emisor (1) (IC = 150 mAdc, IB = mAdc 15) | VCE(Sat) | -- | | 0,5 | VDC |
| Voltaje de saturación del emisor de base (1) (Ic = 150 mAdc, IB = mAdc 15) | VCE(Sat) | -- | | 1,3 | VDC |
| Magnitud del ratio actual delantero del pequeño cortocircuito de la señal (I C = 50 mAdc, VCE = 10 VDC, f = 20 megaciclos) | /hfe/ | 3 | | 10 | |
| Capacitancia de salida (CB de V = 10 VDC, IE = 0, f = 1,0 megaciclos) | OBODE C | 5 | | 15 | PF |
| Impedancia de entrada = (I C = 5,0 mAdc, VCB = 10 VDC, f = 1.0kHz) | ibde h | 4,0 | | 8,0 | Ohmios |
| Ratio de la reacción del voltaje (I C = 5,0 mAdc, VCB = 10 VDC, f = 1,0 kilociclos) | rbde h | -- | | 1,5 | X 10-4 |
| Aumento actual de la Pequeño-señal (I c = 1,0 mAdc, VcB = 5.0Vdc, f = 1,0 kilociclos) (I C = mAdc 5,0, VCB = 10 VDC, f = 1,0 kilociclos) | FEde h | 35
45 | | 100
-- | -- |
| Entrada de salida (I C = 5,0 mAdc, VCB = 10 VDC, f = 1,0 kilociclos) | obde h | --
-- | | 0,5 | mmho |
| Respuesta de pulso (Vcc = 20Vdc, Ic = 500mAdc) | ten + tde | -- | | 30 | ns |
