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Anterwell Technology Ltd.

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MissSharon Yang

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Transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N del transistor del Mosfet del poder de AO3400A

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Número de modelo :AO3400A

Lugar del origen :el 100% nuevo y original

Cantidad de orden mínima :100PCS

Condiciones de pago :T/T, Western Union, Payapl

Capacidad de la fuente :6000pcs

Plazo de expedición :día 1

Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles

voltaje de la Dren-fuente :30 V

Voltaje de la Puerta-Fuente :±12 V

Dren pulsado B actual :25 A

Dren continuo :TA=25°C

Gama de temperaturas del empalme y de almacenamiento :-55 a 150°C

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AO3400A

Transistor de efecto de campo del modo del aumento del canal N

Descripción general

Las aplicaciones de AO3400A avanzadas trench tecnología para proporcionar el RDS excelente (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta. Este dispositivo es conveniente para el uso como interruptor de la carga o en usos de PWM. El producto estándar AO3400A es Pb-libre (resuelve ROHS y Sony 259 especificaciones).

Características

VDS (v) = 30V

Identificación = 5.7A (VGS = 10V)

RDS (ENCENDIDO) < 26="">

RDS (ENCENDIDO) < 32m="">

RDS (ENCENDIDO) < 48m="">

Características termales
Parámetro		Símbolo	Tipo	Máximo	Unidades
^A Empalme-a-ambiente máxima	≤ 10s de t	R_delθJA	70	90	°C/W
^A Empalme-a-ambiente máxima	De estado estacionario	R_delθJA	100	125	°C/W
Empalme-a-ventaja máxima ^C	De estado estacionario	R_delθJL	63	80	°C/W