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Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
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Foso IGBT del transistor FGA25N120ANTD 1200V NPT del Pin de la original 3

Foso IGBT del transistor FGA25N120ANTD 1200V NPT del Pin de la original 3
  • Foso IGBT del transistor FGA25N120ANTD 1200V NPT del Pin de la original 3
Productos detallados
FGA25N120ANTD/FGA25N120ANTD_F109 foso IGBT de 1200V NPT Características • Tecnología del foso del NPT, coeficiente de temperatura positivo • Voltaje ...
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