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CARACTERÍSTICAS
• Gama ancha del voltaje de fuente a partir de 1,65 V a 5,5 V
• Entrada-salida tolerante de 5 V para interconectar con lógica de 5 V
• Alta inmunidad de ruido
• Protección del ESD:
– HBM EIA/JESD22-A114-B excede 2000 V
– el milímetro EIA/JESD22-A115-A excede de 200 V.
• impulsión de la salida de ±24 mA (VCC = 3,0 V)
• Bajo consumo de energía del Cmos
• El funcionamiento del cierre-para arriba excede 250 mA
• Opciones múltiples del paquete
• Especificado del °C −40 al °C +85 y del °C −40 a +125 °C.
DESCRIPCIÓN
El 74LVC2GU04 es un de alto rendimiento, de baja potencia, de baja tensión, dispositivo de la Si-puerta Cmos, superior a la mayoría de las familias compatibles avanzadas del Cmos TTL.
La entrada se puede conducir de 3,3 V o de 5 dispositivos de V. Estas características permiten el uso de estos dispositivos en 3,3 un ambiente de V mezclado y de 5 V.
El 74LVC2GU04 proporciona dos inversores. Cada inversor es una sola etapa con salida inseparada.
SÍMBOLO | PARÁMETRO | CONDICIONES | TÍPICO | UNIDAD |
tPHL/tPLH |
retraso de propagación nA de la entrada para hacer salir el nY |
VCC = 1,8 V; CL = 30 PF; RL =1kΩ | 2,3 | ns |
VCC = 2,5 V; CL = 30 PF; RL = Ω 500 | 1,8 | ns | ||
VCC = 2,7 V; CL = 50 PF; RL = Ω 500 | 2,6 | ns | ||
VCC = 3,3 V; CL = 50 PF; RL = Ω 500 | 2,3 | ns | ||
CI | capacitancia de la entrada | 5 | PF | |
PALADIODE C | capacitancia de la disipación de poder por la puerta | VCC = 3,3 V; notas 1 y 2 | PF |