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Módulo de poder del Mosfet de la baja tensión

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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Módulo de poder del Mosfet de la baja tensión

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Brand Name :MOTOROLA
Model Number :MHL18336
Certification :Original Factory Pack
Place of Origin :Germany
MOQ :5pcs
Price :Negotiation
Payment Terms :T/T, Western Union,PayPal
Supply Ability :285PCS
Delivery Time :1 Day
Packaging Details :please contact me for details
Feature :Third Order Intercept: 46 dBm Typ
Feature2 :Power Gain: 30 dB Typ (@ f =1850 MHz)
Feature3 :Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
Feature4 :Ideal for Feedforward Base Station Applications
Storage Temperature Range :–40 to +100 °C
Voltage :30V
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¿???? ¿MHL18336? AMPLIFICADOR LINEAR DEL RF LDMOS DE LA BANDA DEL PCS

 

   Diseñado para los usos ultralineales del amplificador en los sistemas de 50 ohmios que actúan en la banda de frecuencia del PCS. Un diseño de la clase A del FET del silicio proporciona linearidades y aumento excepcionales. Además, el retraso de grupo y las características excelentes de las linearidades de la fase son ideales para los sistemas digitales de la modulación, tales como TDMA y CDMA.

 

 

• Tercera intercepción de la orden: tipo de 46 dBm

• Aumento del poder: tipo del DB 30 (@ f =1850 megaciclo)

• Características excelentes del retraso de las linearidades y de grupo de la fase

• Ideal para los usos de la estación base del Feedforward

 

Módulo de poder del Mosfet de la baja tensiónMódulo de poder del Mosfet de la baja tensión

 
Grado SímboloValor Unidad
Voltaje de fuente de DC VDD 30 VDC
El RF entrada energía Pin +10 dBm
Gama de temperaturas de almacenamiento Tstg – 40 a +100 °C

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (VDD = 26 VDC, TC = 25°C; sistema de 50 Ω)

 

                 
Característica SímboloMinutoTipoMáximoUnidad
Fuente actual IDD500525

Aumento del poder

(f =1850 megaciclo)

Gp 29 30 31 DB

Llanura del aumento

(f = 1800-1900 megaciclos)

GF 0,2 0,4 DB

Salida de poder @ 1 compartimiento del DB.

(f = 1850 megaciclos)

DB del abadejo 1 35 36 dBm

VSWR entrado

(f = 1800-1900 megaciclos)

VSWRin 1.2:11.5:1  

Tercera intercepción de la orden

(f1 = 1847 megaciclos, F2 = 1852 megaciclos)

ITO 45 46 dBm

Figura de ruido

(f = 1850 megaciclos)

N-F 4,2 4,5 DB

 

 

 

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