Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Miembro del sitio
10 Años
Casa / Productos / Mosfet Power Module /

Puente de la capacidad H de SOA del cortocircuito del módulo de poder del Mosfet de Superjunction

Contacta
Anterwell Technology Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
Contacta

Puente de la capacidad H de SOA del cortocircuito del módulo de poder del Mosfet de Superjunction

Preguntar último precio
Número de modelo :MWI50-12E7
Lugar del origen :México
Cantidad de orden mínima :3pcs
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :350pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Features4 :Transferencia rápida
Características :NPT3 IGBTs
Features5 :corriente corta de la cola para el funcionamiento optimizado también en circuitos resonantes
Usos típicos 1 :MWI - Impulsiones de la CA - fuentes de alimentación con la corrección de factor de poder
Usos típicos 2 :MKI - control de motor. Bobina aficionada del motor de DC. Bobina de la excitación del motor de DC.
Features2 :voltaje de saturación bajo
Features3 :coeficiente de temperatura positivo para ser paralelo a fácil
more
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

Puente de la capacidad H de SOA del cortocircuito del módulo de poder del Mosfet de Superjunction

 

 

Módulos Sixpack, puente de IGBT de H

 

Símbolo  Condiciones  Grados máximos
VCES TVJ = 25°C a 150°C 1200  V
VGES   ± 20  V

IC25

IC80

TC = 25°C

TC = 80°C

90

62

A

A

ICM

VCEK

VGE = ±15 V; RG = Ω 22; TVJ = 125°C

RBSOA; carga inductiva afianzada con abrazadera; L = µH 100

100

VCES

A
SC de t

VCE = 900 V; VGE = ±15 V; RG = Ω 22; TVJ = 125°C

SCSOA; sin repetición

10 µs

 

 

Características

• NPT3 IGBTs Puente de la capacidad H de SOA del cortocircuito del módulo de poder del Mosfet de Superjunction

- voltaje de saturación bajo

- coeficiente de temperatura positivo para ser paralelo a fácil

- transferencia rápida - corriente corta de la cola para el funcionamiento optimizado

también en circuitos resonantes

 

• Diodo de HiPerFREDTM:

- recuperación reversa rápida

- voltaje delantero del funcionamiento bajo

- corriente baja de la salida

 

• Paquete del estándar industrial

- pernos solderable para el montaje del PWB

- embase de cobre aislado

- UL registradoa, E 72873

 

 

Usos típicos

• MWI - Impulsiones de la CA

- fuentes de alimentación con la corrección de factor de poder

 

• MKI

- control de motor. Bobina aficionada del motor de DC. Bobina de la excitación del motor de DC. bobina de la excitación del motor síncrono

 

- fuente de la bobina primaria del transformador. fuentes de alimentación. soldadura. Radiografía. cargador de batería

 

 

 

Puente de la capacidad H de SOA del cortocircuito del módulo de poder del Mosfet de SuperjunctionPuente de la capacidad H de SOA del cortocircuito del módulo de poder del Mosfet de SuperjunctionPuente de la capacidad H de SOA del cortocircuito del módulo de poder del Mosfet de Superjunction

 

Carro de la investigación 0