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Módulo del diodo del tiristor de IC Netz del módulo de poder del Mosfet del control de fase

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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Módulo del diodo del tiristor de IC Netz del módulo de poder del Mosfet del control de fase

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Número de modelo :TT425N12KOF
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :2pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :300PCS
Plazo de expedición :Oferta común
Detalles de empaquetado :pida por favor detalles
Línea principal :Ic, módulo, transistor, diodos, condensador, resistor etc
molde :Módulo del tiristor del control de fase
Tipo del disipador de calor :KM17
Condición :new&original 100%
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Módulo del diodo del tiristor de IC Netz del módulo de poder del Mosfet del control de fase

 

 

powerblock del ic TT425N12KOF del módulo

 

Elektrische Eigenschaften/propiedades eléctricas

Höchstzulässige Werte/valores clasificados máximos

 

Apagado-estado delantero máximo repetidor de Rückwärts-Spitzensperrspannung del und de Periodische Vorwärts- y voltajes reversos Tvj = -40°C… Tvj máximo VDRM, VRRM

1000 1400

1200 1600

           1800

V

V

V

Voltaje delantero máximo sin repetición del apagado-estado de Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung Tvj = -40°C… Tvj máximo VDSM

1000 1400

1200 1600

           1800

V

V

V

Corriente máxima del en-estado de Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS Tvj =+25°C… Tvj máximo VRSM    
Corriente máxima del en-estado de Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS   ITRMSM 800 A
En-estado medio de Dauergrenzstrom actual TC = 85°C TC = 74°C ITAVM 425 510 A A

TC = 85°C

TC = 74°C

 

425

510

A

A

Sobretensión de Stoßstrom-Grenzwert

Tvj = °C 25 tP = ms 10

 Tvj = Tvj máximo tP = ms 10

ITSM

14500

12500

A

A

T-valor del ² de Grenzlastintegral I

Tvj = °C 25 tP = ms 10

Tvj = Tvj máximo tP = ms 10

I ² t

Un ² s

Un ² s

A

A

Índice crítico de Kritische Stromsteilheit de subida de la corriente del en-estado IEC 747-6 del estruendo f = 50 herzios, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs cr (dIT/dt)

120

A/µs
Índice crítico de Kritische Spannungssteilheit de subida de voltaje del apagado-estado Tvj = Tvj máximo, vD = 0,67 VDRM 6.Kennbuchstabe/6ta letra F cr (dvD/dt) 1000 V/µs

 

Elektrische Eigenschaften/propiedades eléctricas

Charakteristische Werte/valores característicos

 

Tiempo conmutado circuito de la vuelta-apagado de Freiwerdezeit Tvj = Tvj máximo, iTM = vRM de ITAVM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20 V/µs, - diT/dt = 10 A/µs 5.Kennbuchstabe/5ta letra O tq tipo 250 µs
Voltaje de la prueba de aislamiento de los aislamientos-Prüfspannung RMS, f = 50 herzios, t = 1 RMS mínimo, f = 50 herzios, t = 1 sec VISOL

3,0

3,6

Kilovoltio

Kilovoltio

 

Luftselbstkühlung/natural refrescando 1 Modul favorable Kühlkörper/1 módulo por el disipador de calor Kühlkörper/el tipo del disipador de calor: Kilómetro 17 (120W) 

 

Verstärkte Kühlung/forzó el enfriamiento de 1 Modul favorable Kühlkörper/1 módulo por el disipador de calor Kühlkörper/el tipo del disipador de calor: KM17 (Papst 4650N)

 

new&original 100%

Carro de la investigación 0