Característico	Símbolo	Clasificación	Unidad
voltaje de la Dren-fuente	VDSS	600	V
voltaje de la Dren-puerta (RGS = kΩ 20)	VDGR	600	V
voltaje de la Puerta-fuente	VGSS	±30	V
Drene DC actual Pulso (t = 1 ms)	Identificación	13	A
Drene DC actual Pulso (t = 1 ms)	IDP	52	A
Drenan la disipación de poder (Tc = 25°C)	Paladio	50	W
Sola energía de la avalancha del pulso	EAS	1033	mJ
Corriente de la avalancha	AR	13	A
Energía repetidor de la avalancha	OÍDO	5,0	mJ
Temperatura del canal	Tch	150	°C
Gama de temperaturas de almacenamiento	Tstg	-50-150	°C

Características termales

Característico	Símbolo	Máximo	Unidad
Resistencia termal, canal al caso	Rth (ch-c)	2,5	w/ °C
Resistencia termal, canal a abinent	Rth (ch-uno)	62,5	w/ °C

Nota 1: Asegúrese de que la temperatura del canal no exceda 150°C durante el uso del dispositivo.

Nota 2: VDD = 90 V, Tch = 25°C (inicial), L = 10,7 Mh, IAR = 13 A, RG = Ω 25

Nota 3: Grado repetidor: la anchura de pulso limitó por temperatura máxima del canal que este transistor es un dispositivo electrostático-sensible. Dirija con cuidado.

Oferta de la acción del transistor de efecto de campo del MOS del transistor 2SK3797 del Pin de IC 3

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