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original epitaxial del transistor del silicio del transistor NPN del Pin 2SC5242 3
Transistor epitaxial 2SC5242 del silicio de NPN
Usos
• Amplificador de alta fidelidad de la salida audio
• Características de fines generales del amplificador de potencia
• Capacidad de gran intensidad: IC = 15A
• Disipación de poder más elevado: 130watts
• De alta frecuencia: 30MHz.
• Alto voltaje: VCEO=230V
• S.O.A ancho para la operación confiable.
• Linearidades excelentes del aumento para THD bajo.
• Complemento a 2SA1962/FJA4213.
• Los modelos termales y eléctricos de la especia están disponibles
• El mismo transistor está también disponible en: --Paquete TO264,
2SC5200/FJL4315: 150 vatios --Paquete TO220,
FJP5200: 80 vatios --Paquete de TO220F, FJPF5200: 50 vatios
Ratings* máximo absoluto TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente
Símbolo | Parámetro | Grados | Unidades |
BVCBO | Voltaje de la Colector-Base | 230 | V |
CEO DE LA BV | Voltaje del Colector-Emisor | 230 | V |
BVEBO | Voltaje de la Emisor-Base | 5 | V |
IC | Corriente de colector (DC) | 15 | A |
IB | Corriente básica | 1,5 | A |
PD | Disipación total del dispositivo (TC=25°C) reduce la capacidad normal sobre 25°C |
130 1,04 |
W W/°C |
TJ, TSTG | Temperatura del empalme y de almacenamiento | -50-+150 | °C |
* Estos grados son los valores límites sobre los cuales la utilidad de cualquier dispositivo de semiconductor puede ser empeorada.
Characteristics* termal Ta=25°C a menos que se indicare en forma diferente
Símbolo | Parámetro | MÁXIMO. | Unidad |
R delθJC | Resistencia termal, empalme al caso | 0,96 | W/°C |
* Dispositivo montado en tamaño mínimo del cojín