Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Miembro del sitio
10 Años
Casa / Productos / 3 Pin Transistor /

original epitaxial del transistor del silicio del transistor NPN del Pin 2SC5242 3

Contacta
Anterwell Technology Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
Contacta

original epitaxial del transistor del silicio del transistor NPN del Pin 2SC5242 3

Preguntar último precio
Número de modelo :2SC5242
Lugar del origen :Japón
Cantidad de orden mínima :50
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :4000
Plazo de expedición :1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
clasificación R del hFE :55-110
clasificación O del hFE :80-160
Línea principal :Componentes de IC, transistor, diodo, módulo, condensador etc
tensión :230 v
la temperatura :-50-+150°C
Paquete :TO-3P
more
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

original epitaxial del transistor del silicio del transistor NPN del Pin 2SC5242 3

 

 

 

Transistor epitaxial 2SC5242 del silicio de NPN 

 

Usos

• Amplificador de alta fidelidad de la salida audio

• Características de fines generales del amplificador de potencia

• Capacidad de gran intensidad: IC = 15A

• Disipación de poder más elevado: 130watts

• De alta frecuencia: 30MHz.

• Alto voltaje: VCEO=230V

• S.O.A ancho para la operación confiable.

• Linearidades excelentes del aumento para THD bajo.

• Complemento a 2SA1962/FJA4213.

• Los modelos termales y eléctricos de la especia están disponibles

• El mismo transistor está también disponible en: --Paquete TO264,

2SC5200/FJL4315: 150 vatios --Paquete TO220,

FJP5200: 80 vatios --Paquete de TO220F, FJPF5200: 50 vatios

 

Ratings* máximo absoluto TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente

 

Símbolo Parámetro Grados Unidades
BVCBO Voltaje de la Colector-Base 230 V
CEO DE LA BV Voltaje del Colector-Emisor 230 V
BVEBO Voltaje de la Emisor-Base 5 V
IC Corriente de colector (DC) 15 A
IB Corriente básica 1,5 A
PD Disipación total del dispositivo (TC=25°C) reduce la capacidad normal sobre 25°C

130

1,04

W

W/°C

TJ, TSTG Temperatura del empalme y de almacenamiento -50-+150 °C

* Estos grados son los valores límites sobre los cuales la utilidad de cualquier dispositivo de semiconductor puede ser empeorada.

 

Characteristics* termal Ta=25°C a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo Parámetro MÁXIMO. Unidad
R delθJC Resistencia termal, empalme al caso 0,96 W/°C

* Dispositivo montado en tamaño mínimo del cojín

original epitaxial del transistor del silicio del transistor NPN del Pin 2SC5242 3

 

 

 

Carro de la investigación 0