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TRIAC de alto voltaje BTA/BTB 16 del transistor BTA16-600BRG 16A del Mosfet del poder

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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TRIAC de alto voltaje BTA/BTB 16 del transistor BTA16-600BRG 16A del Mosfet del poder

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Número de modelo :BTA16-600BRG
Lugar del origen :Marruecos
Cantidad de orden mínima :100PCS
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :6000pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Corriente del en-estado del RMS :16 A
Corriente no repetidor del en-estado del pico de la oleada (ciclo completo, inicial de Tj = 25°C) :168 A
Voltaje no repetidor del apagado-estado del pico de la oleada :VDRM/VRRM + 100 V
Corriente de colector :150 MA
Índice crítico de subida de la corriente del en-estado :50 A/µs
Corriente máxima de la puerta :4 A
Disipación de poder media de la puerta :1 W
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TRIAC de alto voltaje BTA/BTB 16 del transistor BTA16-600BRG 16A del Mosfet del poder

 

 

 

DESCRIPCIÓN

 

TRIAC de alto voltaje BTA/BTB 16 del transistor BTA16-600BRG 16A del Mosfet del poderDisponible en paquetes del por-agujero o del superficie-soporte, la serie del triac BTA/BTB16 y T16 es conveniente para la transferencia de fines generales de la CA. Pueden ser utilizados como función CON./DESC. en usos tales como retransmisiones estáticas, regulación de calefacción, motor de inducción que enciende los circuitos… o para la operación de control de la fase en los amortiguadores ligeros, reguladores de la velocidad del motor,…

 

 

Las versiones snubberless (la serie W y T16 de BTA/BTB…) se recomiendan especialmente para el uso en las cargas inductivas, gracias a sus altos funcionamientos de la conmutación. Usando un cojín de cerámica interno, la serie de BTA proporciona voltaje etiqueta aislada (clasificada en 2500V RMS) que cumple con los estándares de la UL (referencia del fichero.: E81734).

 

 

 

Símbolo  Valor  Unidad
ÉL (RMS)  16  A
VDRM/VRRM  600, 700 y 800 V
IGT (Q1) 10 a 50  mA

 

 

 

INFORMACIÓN EL ORDENAR

TRIAC de alto voltaje BTA/BTB 16 del transistor BTA16-600BRG 16A del Mosfet del poder

Fig. 1: Disipación de poder máxima contra la corriente del en-estado del RMS (ciclo completo).

TRIAC de alto voltaje BTA/BTB 16 del transistor BTA16-600BRG 16A del Mosfet del poder

 

Fig. 2-1: Corriente del en-estado del RMS contra la temperatura de caso (ciclo completo).

TRIAC de alto voltaje BTA/BTB 16 del transistor BTA16-600BRG 16A del Mosfet del poder

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