Anterwell Technology Ltd.

Anterwell Technology Ltd. Large Original stock of IC Electronics Components, Transistors, Diodes etc. High Quality, Reasonable Price, Fast Delivery.

Manufacturer from China
Miembro del sitio
10 Años
Casa / Productos / 3 Pin Transistor /

El transistor IXFH60N50P3 del Mosfet del poder de la transferencia ayuna rectificador intrínseco

Contacta
Anterwell Technology Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
Contacta

El transistor IXFH60N50P3 del Mosfet del poder de la transferencia ayuna rectificador intrínseco

Preguntar último precio
Número de modelo :IXFH60N50P3
Lugar del origen :Filipinas
Cantidad de orden mínima :20
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :20000
Plazo de expedición :1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
IXFQ :TO-3P
IXFH :TO-247
Características :RDS clasificado, bajo intrínseco rápido del rectificador, de la avalancha (ENCENDIDO) y QG
ventajas :densidad de poder más elevado de z z fácil montar ahorros de espacio de z
Aplicaciones :El motor de la CA y de DC de los conductores z del laser de los convertidores z de las fuentes z DC-
Peso :TO-268 4,0 g TO-3P 5,5 g TO-247 6,0 g
more
Contacta

Add to Cart

Buscar vídeos similares
Ver descripción del producto

El transistor IXFH60N50P3 del Mosfet del poder de la transferencia ayuna rectificador intrínseco

 

 

Polar3TM HiperFETTM IXFT60N50P3 VDSS = 500V

MOSFET IXFQ60N50P3 I del poder D25 = 60A

                                                                                                ≤ 100mΩ de IXFH60N50P3 RDS(encendido)

 

 

Modo del aumento del canal N El transistor IXFH60N50P3 del Mosfet del poder de la transferencia ayuna rectificador intrínseco

Avalancha clasificada

Rectificador intrínseco rápido

 

 

 

 

 

 

 

 

Símbolo Condiciones de prueba  Grados máximos

VDSS 

VDGR

TJ = 25°C a 150°C

TJ = 25°C a 150°C, RGS = 1MΩ

500 V

500 V

VGSS 

VG/M 

Continuo 

Transitorio 

± 30 V

± 40 V

D25

I DM
 

TC = 25°C 

TC = 25°C, Pulse Width Limited por TJM

60 A

150 A

I A 

ECOMO

TC = 25°C  

TC = 25°C

30 A

1 J

dv/dt ES el ≤ IDM, ≤ VDSS, ≤ 150°C de VDD de TJ 35 V/ns
PD  TC = 25°C  W 1040

TJ

TJM 

Stg de T

 

-55… °C +150

°C 150

-55… °C +150

 TL

Tsold 

1.6m m (los 0.062in.) del caso para 10s 

Cuerpo plástico por 10 segundos

°C 300

°C 260

Md  Esfuerzo de torsión del montaje (TO-247 y TO-3P)  1,13/10 Nm/lb.in.
Peso

TO-268

TO-3P 

TO-247 

4,0 g

5,5 g

6,0 g

 

 

Características                                           El transistor IXFH60N50P3 del Mosfet del poder de la transferencia ayuna rectificador intrínseco

Rectificador intrínseco rápido

Avalancha clasificada

 RDS bajo (ENCENDIDO) y QG

 Inductancia baja del paquete

 

Ventajas

 Densidad de poder más elevado

 Fácil montar

 Ahorros de espacio

 

Usos

 Fuentes del Interruptor-Modo y de alimentación del Resonante-Modo

 Conductores del laser de los convertidores z de DC-DC

 Impulsiones del motor de la CA y de DC

 Robótica y controles servos

 

 

 

Fig. 1. características de salida @ TJ = 25ºC fig. 2. características de salida extendidas @ TJ = 25ºC

El transistor IXFH60N50P3 del Mosfet del poder de la transferencia ayuna rectificador intrínseco

 

Fig. 3. características de salida @ TJ = 125ºC fig. 4. RDS (encendido) normalizada a valor identificación = 30A contra temperatura de empalme

 

El transistor IXFH60N50P3 del Mosfet del poder de la transferencia ayuna rectificador intrínseco

Fig. 5. RDS (encendido) normalizado a valor identificación = 30A contra corriente máxima del dren 6. contra el dren CurrentFig del caso.                                                            Temperatura

 

                    El transistor IXFH60N50P3 del Mosfet del poder de la transferencia ayuna rectificador intrínseco

 

          Fig. 7. fig. entrada 8. transconductancia de la entrada

El transistor IXFH60N50P3 del Mosfet del poder de la transferencia ayuna rectificador intrínseco

 

 

Carro de la investigación 0