Transistor de fines generales del Mosfet/transistor de fines generales de NPN

Transistor de fines generales del Mosfet/transistor de fines generales de NPN

Transistor de fines generales

• Voltaje del Colector-Emisor: VCEO= 60V

• Disipación de poder del colector: PC =625mW (máximo)

• Refiera a KSP2907 para los gráficos

Transistor epitaxial del silicio de PNP

Grados máximos absolutos Ta=25°C a menos que se indicare en forma diferente

Unidades del valor de parámetro del símbolo

Voltaje -60 V de la Colector-Base de VCBO

Voltaje -60 V del Colector-Emisor de VCEO

Voltaje -5 V de la Emisor-Base de VEBO

Corriente de colector de IC -600 mA

Disipación de poder del colector de la PC 625 mW

Temperatura de almacenamiento del °C TSTG de la temperatura de empalme de TJ 150 -55 ~ °C 150

 NEGACIÓN

EL SEMICONDUCTOR DE FAIRCHILD SE RESERVA LA DERECHA DE REALIZAR CAMBIOS SIN PREVIO AVISO A CUALQUIER PRODUCTO ADJUNTO PARA MEJORAR CONFIABILIDAD, LA FUNCIÓN O EL DISEÑO. FAIRCHILD NO ASUME NINGUNA RESPONSABILIDAD QUE SE PRESENTA FUERA DEL USO O DEL USO DE NINGÚN PRODUCTO O CIRCUITO DESCRITO ADJUNTO; NI LA HACE TRANSPORTAN CUALQUIER LICENCIA BAJO SUS DERECHAS DE PATENTE, NI LAS DERECHAS DE OTRAS.

POLÍTICA DEL CONECTADO A UNA MÁQUINA QUE MANTIENE LAS CONSTANTES VITALES

LOS PRODUCTOS DE FAIRCHILD NO SE AUTORIZAN PARA EL USO COMO COMPONENTES CRÍTICOS EN DISPOSITIVOS DEL CONECTADO A UNA MÁQUINA QUE MANTIENE LAS CONSTANTES VITALES O SISTEMAS SIN LA APROBACIÓN ESCRITA EXPRESA DE FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.