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Amplificador equivalente de fines generales del transistor KSP2907A PNP del Mosfet del poder

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China Amplificador equivalente de fines generales del transistor KSP2907A PNP del Mosfet del poder wholesale
  • China Amplificador equivalente de fines generales del transistor KSP2907A PNP del Mosfet del poder wholesale

Amplificador equivalente de fines generales del transistor KSP2907A PNP del Mosfet del poder
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Número de modelo :KSP2907A
Lugar del origen :Filipinas
Cantidad de orden mínima :20
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :20000
Plazo de expedición :1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Features2 :• Disipación de poder del colector: PC =625mW (máximo)
Características :• Voltaje del Colector-Emisor: VCEO= 60V
Features3 :• Sufijo “- C” significa un colector de centro (1.Emitter 2.Collector 3.Base)
Features4 :• No sufijo “- C” significa un colector lateral (1.Emitter 2.Base 3.Collector)
Features5 :• Disponible como PN2907A
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Amplificador equivalente de fines generales del transistor KSP2907A PNP del Mosfet del poder

 

 

Características

• Voltaje del Colector-Emisor: VCEO= 60V                Amplificador equivalente de fines generales del transistor KSP2907A PNP del Mosfet del poder

• Disipación de poder del colector: PC =625mW (máximo)

• Sufijo “- C” significa un colector de centro (1.Emitter 2.Collector 3.Base)

• No sufijo “- C” significa un colector lateral (1.Emitter 2.Base 3.Collector)

• Disponible como PN2907A

 

 

 

Grados máximos absolutos * TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente

Símbolo Parámetro Valor Unidades
VCBO Voltaje de la Colector-Base -60  V
VCEO  Voltaje del Colector-Emisor  -60  V
VEBO  Voltaje de la Emisor-Base -5  V
IC Corriente de colector  -600  mA
TJ Temperatura de empalme  +150  °C

 

 

Amplificador equivalente de fines generales del transistor KSP2907A PNP del Mosfet del poder

 

Etiquetas de productos:

5.1 mosfet amplifier circuit

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