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Transistores IC 2SD1625 PNP del Mosfet del poder del RF del silicio/planar epitaxial de NPN

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Provincia / Estado:guangdong
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China Transistores IC 2SD1625 PNP del Mosfet del poder del RF del silicio/planar epitaxial de NPN wholesale
  • China Transistores IC 2SD1625 PNP del Mosfet del poder del RF del silicio/planar epitaxial de NPN wholesale

Transistores IC 2SD1625 PNP del Mosfet del poder del RF del silicio/planar epitaxial de NPN
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Número de modelo :2SD1625
Lugar del origen :Filipinas
Cantidad de orden mínima :20
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :20000
Plazo de expedición :1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Temperatura de empalme :℃ 150
Temperatura de almacenamiento :℃ -55 a +150
Capacitancia de salida :9-18pF
Paquete :SOT-23
producto del Aumento-ancho de banda :170-200 megaciclo
Corriente de colector :-0.7A
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Transistores IC 2SD1625 PNP del Mosfet del poder del RF del silicio/planar epitaxial de NPN

 

 

usos del conductor 2SD1625

 

Transistores planares epitaxiales IC del silicio de PNP/NPN

 

Usos

 

Viaje en automóvili a los conductores, conductores de martillo de la impresora, dreiver de la retransmisión, control del regulador de voltaje

 

Características

 

Alto aumento actual de DC

Grande curren la capacidad y ASO ancho

Muy tamaño pequeño haciéndolo fácil proporcionar el híbrido de alta densidad, tamaño pequeño ICs

 

Grados máximos absolutos en TA=25℃

Colector al voltaje bajo VCBO -80 V
Colector al voltaje del emisor VCEO -50 V
Emisor al voltaje bajo VEBO -10 V
Corriente de colector IC -0,7 A
Corriente de colector (pulso) ICP -2 A
Disipación del colector PC 500 Nanovatio
Temperatura de empalme Tj 150 ℃
Temperatura de almacenamiento Tstg -55 a +150

℃

 

Transistores IC 2SD1625 PNP del Mosfet del poder del RF del silicio/planar epitaxial de NPN

 

Etiquetas de productos:

mosfet array ic

p-channel mosfet sot-23

semiconductor ics
Carro de la investigación 0

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