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Transistores del Mosfet del poder del silicio/transistor planares del componente de la electrónica

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Provincia / Estado:guangdong
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China Transistores del Mosfet del poder del silicio/transistor planares del componente de la electrónica wholesale
  • China Transistores del Mosfet del poder del silicio/transistor planares del componente de la electrónica wholesale

Transistores del Mosfet del poder del silicio/transistor planares del componente de la electrónica
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Número de modelo :BCX6925TA
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :5000e
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :30000PCS
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles
Voltaje de la Colector-Base :-25 V
Voltaje del Colector-Emisor :-20 V
voltaje de la Emisor-Base de e VCEO -20 V :-5 V
Funcionamiento y gama de temperaturas de almacenamiento :-65 °C +150
Disipación de poder en Tamb=25°C :1 W
Corriente de colector continua :-1 A
Corriente máxima del pulso :-2 A
Otros productos :Circuito integrado, diodos, transistores, módulos, y así sucesivamente.
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Transistores del Mosfet del poder del silicio/transistor planares del componente de la electrónica

 

 

CARACTERÍSTICAS

 

* Alta ganancia y TIPO COMPLEMENTARIO bajo de los voltajes de saturación – DETALLE de BCX68 PARTMARKING – BCX69 – CJ BCX69-16 – CG BCX69-25 – CH

 

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS.

 

Colector al voltaje bajo VCBO -25 V
Colector al voltaje del emisor VCEO -20 V
Emisor al voltaje bajo VEBO -5 V
Corriente máxima del pulso ICM -2 A
Corriente de colector continua IC -1 A
Disipación de poder Ptot 1 Nanovatio
Funcionamiento y temperatura de almacenamiento Tj Tstg -65 a +150 ℃

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (en Tamb = 25°C salvo que se indique lo contrario).

Transistores del Mosfet del poder del silicio/transistor planares del componente de la electrónica

 

 

 

Etiquetas de productos:

enhancement type mosfet

mosfet enhancement

introduction of mosfet
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