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Transistor del Mosfet del poder

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Anterwell Technology Ltd.

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MissSharon Yang

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Puerta sensible del poder del Mosfet del transistor BT136-600E de los triac complementarios del tiristor

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Número de modelo :BT136-600E

Lugar del origen :China

Cantidad de orden mínima :4000pcs

Condiciones de pago :T/T, Western Union, PayPal,

Capacidad de la fuente :240000PCS

Plazo de expedición :día 1

Detalles de empaquetado :éntreme en contacto con por favor para los detalles

Descripción :Vidrio apaciguado, triac sensibles de la puerta

Voltaje máximo repetidor del apagado-estado :600 V

Corriente media del en-estado :4 A

Corriente máxima sin repetición del en-estado :25 A

Temperatura de almacenamiento :-45~150 ℃

Paquete :TO-220AB

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Puerta sensible del poder del Mosfet del transistor BT136-600E de los triac complementarios del tiristor

Características del

·Con el paquete de TO-220AB

·Triac apaciguados, sensibles del vidrio de la puerta en un sobre plástico, previsto para el uso en los usos bidireccionales de fines generales del control de la transferencia y de fase, donde la alta sensibilidad se requiere en los cuatro cuadrantes.

DATOS DE REFERENCIA RÁPIDA

SÍMBOLO	PARÁMETRO	VALOR	UNIDAD
VDRM	Voltaje máximo repetidor del apagado-estado	600	V
VRRM	Voltaje máximo repetidor del apagado-estado	600	V
ÉL (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)	Corriente media del en-estado	4	A
ITSM	Corriente máxima sin repetición del en-estado	25	A
Tstg	Temperatura de almacenamiento	-45~150