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Tienda un puente sobre el tipo diodo de rectificador 1N4007 50 a 1000 voltios 1,0 amperios

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Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissSharon Yang
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Tienda un puente sobre el tipo diodo de rectificador 1N4007 50 a 1000 voltios 1,0 amperios

Preguntar último precio
Número de modelo :1N4007
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :100PCS
Condiciones de pago :T/T, Western Union, Paypal
Capacidad de la fuente :50000pcs
Plazo de expedición :día 1
Detalles de empaquetado :Paquete original de la fábrica
Paquete :DO-41
embalaje :5000pcs/box
Envío :DHL, Fedex, TNT, el ccsme etc
Actual :1.0A
la temperatura :℃ -55 a +150
tensión :50-1000V
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Tienda un puente sobre el tipo diodo de rectificador 1N4007 50 a 1000 voltios 1,0 amperios

 

 

Característica

Construcción baja de la capa

Caída de voltaje delantera baja

Capacidad delantera de la sobretensión del leakageHigh reverso bajo

El soldar de alta temperatura garantizado:

longitud de la ventaja de 260℃/10 secods/.375” (9.5m m) en 5 libras (2.3kg) de tensión

 

DATOS MECÁNICOS

Caso: Plástico moldeado transferencia

poxy: Tarifa de UL94V-O ignífuga

Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo

Ventaja: Conductor axial plateado, solderable por el método 208C de MIL-STD-202E

Posición de montaje: Ningunos

Peso: 0,012 onzas, 0,33 gramos

 

Tienda un puente sobre el tipo diodo de rectificador 1N4007 50 a 1000 voltios 1,0 amperios

GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

· Grados en la temperatura ambiente 25OC salvo especificación de lo contrario · Carga la monofásico, de la media onda, de 60Hz, resistente o inductiva · Para la carga capacitiva reduzca la capacidad normal de la corriente por el 20%

 

Voltaje máximo del RMS SÍMBOLOS 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 UNIDAD
Voltaje de bloqueo máximo de DC

Vrrm

50 100 200

400

600 800 1000 V
Corriente adelante rectificada media máxima 0,375" longitud de la ventaja (de 9.5m m) en TA= 25℃ Vrms 35 70 140 280 420 560 700 V
La sobretensión delantera máxima 8.3mS escoge la media onda sinusoidal sobrepuesta en la carga clasificada (el método de JEDEC) VDC 50 100 200 400 600 800 100 V
Voltaje delantero instantáneo máximo @ 1.0A (Sistema de pesos americano) 1,0 A

Revés máximo de DC TA = 25℃

Corriente en DC clasificado que bloquea voltaje de TA=100V por el elemento 

Ifsm 5,0 µA
Vf 50 µA
Media actual, completa reversa a carga plena máxima 0,375" del ciclo longitud de la ventaja (de 9.5m m) en TL=75℃       Ir                                          30    µA
Capacitancia de empalme típica (nota 1)      Cj                                           13    µA
Resistencia termal típica (nota 2)    RθJA                                            50   ℃ /w
Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme      Tj                                      -55 a +150    ℃
Gama de temperaturas de almacenamiento TSTG -55 a +150    ℃

 

Notas:

1. Medido en 1.0MHz y el voltaje reverso aplicado de 4.0V DC.

2. Resistencia termal del empalme a los cojines terminales del cobre 6.0mm2 a cada terminal.

3. El tamaño del microprocesador es 40mil×40mil

 

 

 

Carro de la investigación 0