
Add to Cart
Tienda un puente sobre el tipo diodo de rectificador 1N4007 50 a 1000 voltios 1,0 amperios
Característica
Construcción baja de la capa
Caída de voltaje delantera baja
Capacidad delantera de la sobretensión del leakageHigh reverso bajo
El soldar de alta temperatura garantizado:
longitud de la ventaja de 260℃/10 secods/.375” (9.5m m) en 5 libras (2.3kg) de tensión
DATOS MECÁNICOS
Caso: Plástico moldeado transferencia
poxy: Tarifa de UL94V-O ignífuga
Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
Ventaja: Conductor axial plateado, solderable por el método 208C de MIL-STD-202E
Posición de montaje: Ningunos
Peso: 0,012 onzas, 0,33 gramos
GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
· Grados en la temperatura ambiente 25OC salvo especificación de lo contrario · Carga la monofásico, de la media onda, de 60Hz, resistente o inductiva · Para la carga capacitiva reduzca la capacidad normal de la corriente por el 20%
Voltaje máximo del RMS | SÍMBOLOS | 1N4001 | 1N4002 | 1N4003 | 1N4004 | 1N4005 | 1N4006 | 1N4007 | UNIDAD |
Voltaje de bloqueo máximo de DC |
Vrrm |
50 | 100 | 200 |
400 |
600 | 800 | 1000 | V |
Corriente adelante rectificada media máxima 0,375" longitud de la ventaja (de 9.5m m) en TA= 25℃ | Vrms | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
La sobretensión delantera máxima 8.3mS escoge la media onda sinusoidal sobrepuesta en la carga clasificada (el método de JEDEC) | VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 100 | V |
Voltaje delantero instantáneo máximo @ 1.0A | (Sistema de pesos americano) | 1,0 | A | ||||||
Revés máximo de DC TA = 25℃ Corriente en DC clasificado que bloquea voltaje de TA=100V por el elemento |
Ifsm | 5,0 | µA | ||||||
Vf | 50 | µA | |||||||
Media actual, completa reversa a carga plena máxima 0,375" del ciclo longitud de la ventaja (de 9.5m m) en TL=75℃ | Ir | 30 | µA | ||||||
Capacitancia de empalme típica (nota 1) | Cj | 13 | µA | ||||||
Resistencia termal típica (nota 2) | RθJA | 50 | ℃ /w | ||||||
Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme | Tj | -55 a +150 | ℃ | ||||||
Gama de temperaturas de almacenamiento | TSTG | -55 a +150 | ℃ |
Notas:
1. Medido en 1.0MHz y el voltaje reverso aplicado de 4.0V DC.
2. Resistencia termal del empalme a los cojines terminales del cobre 6.0mm2 a cada terminal.
3. El tamaño del microprocesador es 40mil×40mil