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Shenzhen Zhongkaixin Micro Electronics Co., Ltd.

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:MrJack

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Circuitos integrados de memoria MT47H512M4EB-25E:C TR

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Tecnología :SDRAM-DDR2

Categoría de productos :Interfaces de memoria

Tipo de memoria :Volátil

Escribe el tiempo del ciclo - Palabra, página :15ns

Paquete del dispositivo del proveedor :60-FBGA (9x11.5)

Tiempo de acceso :400ps

Formato de memoria :Dispositivos de almacenamiento

Estado de la parte :No está disponible

Tamaño de la memoria :2Gb (512M x 4)

Embalaje :& de la cinta; Carrete (TR)

Temperatura de funcionamiento :0°C ~ 85°C (TC)

Cantidad mínima :2000

Interfaz de memoria :En paralelo

Envase / estuche :60-TFBGA

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Frecuencia del reloj :400 MHz

Voltado - Alimentación :1,7 V ~ 1,9 V

Serie :-

Fabricante :Tecnología de micrones

Cantidad mínima de pedido :50 piezas

Condiciones de pago :T/T, Western Union, depósito en garantía, Paypal, Visa, MoneyGram

Capacidad de suministro :Cuadros de trabajo

Tiempo de entrega :- ¿ Qué pasa?

Detalles del embalaje :El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef

Lugar de origen :Estados Unidos

Número de modelo :MT4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4E4

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El MT47H512M4EB-25E:C TR,de Micron Technology,es un IC de memoria. Lo que ofrecemos tiene un precio competitivo en el mercado global,que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!

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