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DF200R12W1H3B27BOMA1

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Category :Discrete Semiconductor Products Transistors IGBTs IGBT Modules

Current - Collector (Ic) (Max) :30 A

Product Status :Active

Mounting Type :Chassis Mount

Package :Tray

Series :-

Package / Case :Module

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :1.3V @ 15V, 30A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :1200 V

Supplier Device Package :Module

Mfr :Infineon Technologies

Operating Temperature :-40°C ~ 150°C

Current - Collector Cutoff (Max) :1 mA

IGBT Type :-

Power - Max :375 W

Input :Standard

Input Capacitance (Cies) @ Vce :2 nF @ 25 V

Configuration :2 Independent

NTC Thermistor :Yes

Base Product Number :DF200R12

Description :IGBT MOD 1200V 30A 375W

Stock :In Stock

Shipping Method :LCL, AIR, FCL, Express

Payment Terms :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

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Módulo del soporte del chasis de la independiente 1200 V 30 A 375 W del módulo 2 de IGBT

DF200R12W1H3B27BOMA1

Almacenadores intermediarios, conductores, receptores, transmisores-receptores

Proceso video

Traductores, desplazadores llanos

Procesadores - el uso se especializó

Conectores métricos duros

Conectores solares/conectores fotovoltaicos

Salida análoga y de Digitaces

Sensores de proximidad

Conectores automotrices

Sensores lineares de la dislocación

DF200R12W1H3B27BOMA1

EPF10K50SBC356-2N

EPF10K50SBC356-2

EPF10K50SBC356-3