RN1116(TE85L,F)

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País/Región:china

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Category :Discrete Semiconductor Products Transistors Bipolar (BJT) Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

Current - Collector (Ic) (Max) :100 mA

Product Status :Active

Transistor Type :NPN - Pre-Biased

Frequency - Transition :250 MHz

Mounting Type :Surface Mount

Package :Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®

Series :-

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :300mV @ 250µA, 5mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :50 V

Supplier Device Package :SSM

Resistor - Base (R1) :4.7 kOhms

Mfr :Toshiba Semiconductor and Storage

Resistor - Emitter Base (R2) :10 kOhms

Current - Collector Cutoff (Max) :500nA

Power - Max :100 mW

Package / Case :SC-75, SOT-416

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :50 @ 10mA, 5V

Base Product Number :RN1116

Description :TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

Stock :In Stock

Shipping Method :LCL, AIR, FCL, Express

Payment Terms :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

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Transistor bipolar Pre-en polarización negativa (BJT) NPN - 50 V Pre-en polarización negativa 100 mA 250 megaciclos 100 SSM superficiales del soporte del mW

Almacenadores intermediarios, conductores, receptores, transmisores-receptores

Proceso video

Traductores, desplazadores llanos

Procesadores - el uso se especializó

Conectores métricos duros

Conectores solares/conectores fotovoltaicos

Salida análoga y de Digitaces

Sensores de proximidad

Conectores automotrices

Sensores lineares de la dislocación

HCF40106M013TR

TEF6606T

TEF6621T