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PDTA114ET-QR

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Category :Discrete Semiconductor Products Transistors Bipolar (BJT) Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

Current - Collector (Ic) (Max) :100 mA

Product Status :Active

Transistor Type :PNP - Pre-Biased

Frequency - Transition :180 MHz

Mounting Type :Surface Mount

Package :Tape & Reel (TR)

Series :Automotive, AEC-Q101

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :150mV @ 500µA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :50 V

Supplier Device Package :TO-236AB

Resistor - Base (R1) :10 kOhms

Mfr :Nexperia USA Inc.

Resistor - Emitter Base (R2) :10 kOhms

Current - Collector Cutoff (Max) :1µA

Power - Max :250 mW

Package / Case :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :30 @ 5mA, 5V

Base Product Number :PDTA114

Description :PDTA114ET-Q/SOT23/TO-236AB

Stock :In Stock

Shipping Method :LCL, AIR, FCL, Express

Payment Terms :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

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Transistor bipolar Pre-en polarización negativa (BJT) PNP - 50 V Pre-en polarización negativa 100 mA 180 megaciclos soporte superficial TO-236AB de 250 mW

PDTA114ET-QR

Almacenadores intermediarios, conductores, receptores, transmisores-receptores

Proceso video

Traductores, desplazadores llanos

Procesadores - el uso se especializó

Conectores métricos duros

Conectores solares/conectores fotovoltaicos

Salida análoga y de Digitaces

Sensores de proximidad

Conectores automotrices

Sensores lineares de la dislocación

PDTA114ET-QR

PDTA114ET

DAC8551IADGKT

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