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PDTD123YT-QR

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Category :Discrete Semiconductor Products Transistors Bipolar (BJT) Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

Current - Collector (Ic) (Max) :500 mA

Product Status :Active

Transistor Type :NPN - Pre-Biased

Mounting Type :Surface Mount

Package :Tape & Reel (TR)

Series :Automotive, AEC-Q101

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :300mV @ 2.5mA, 50mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :50 V

Supplier Device Package :TO-236AB

Resistor - Base (R1) :2.2 kOhms

Mfr :Nexperia USA Inc.

Resistor - Emitter Base (R2) :10 kOhms

Current - Collector Cutoff (Max) :500nA

Power - Max :250 mW

Package / Case :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :70 @ 50mA, 5V

Base Product Number :PDTD123

Description :TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB

Stock :In Stock

Shipping Method :LCL, AIR, FCL, Express

Payment Terms :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

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Transistor bipolar Pre-en polarización negativa (BJT) NPN - 50 V Pre-en polarización negativa 500 mA soporte superficial TO-236AB de 250 mW

PDTD123YT-QR

Almacenadores intermediarios, conductores, receptores, transmisores-receptores

Proceso video

Traductores, desplazadores llanos

Procesadores - el uso se especializó

Conectores métricos duros

Conectores solares/conectores fotovoltaicos

Salida análoga y de Digitaces

Sensores de proximidad

Conectores automotrices

Sensores lineares de la dislocación

PDTD123YT-QR

PDTA114ET

ddr2 1333

PDTA114TE