Transistor Texas Instruments /TI LM5109BQNGTTQ1 de NPN PNP
| Módulo de ECAD |
Símbolo, huella y modelo 3D del PWB |
| Amenaza falsa en el mercado libre |
los 34 PCT. |
| Situación de la oferta y de la demanda |
Limitado |
| Renombre |
Medio |
| Fabricante Homepage |
www.ti.com |
| Número de parte de la fuente del triunfo |
1200388-LM5109BQNGTTQ1 |
| Nivel de MSL |
1 (ilimitado) |
| Fabricante Pack Quantity |
1 |
| Número de parte de la familia |
LM5109 |
| Paquete del dispositivo del proveedor |
8-WSON (4x4) |
| Fabricante Package |
8-WFDFN expuso el cojín |
| Montaje de estilo |
SMD |
| Gama de temperaturas - actuando |
-40°C ~ 125°C |
| Tiempo de la subida/caída |
15ns, 15ns |
| Alto voltaje lateral - máximo (tirante) |
108V |
| Tipo entrado |
No-inversión |
| Actual - salida máxima (fuente, fregadero) |
1A, 1A |
| Voltaje de la lógica - VIL, VIH |
0.8V, 2.2V |
| Voltaje de fuente (v) |
8V ~ 14V |
| Tipo de la puerta |
MOSFET del canal N |
| Número de conductores |
2 |
| Tipo de canal |
Independiente |
| Configuración conducida |
Semipuente |
| Empaquetado |
Carrete |
| Fabricante |
Texas Instruments |
| Categorías |
Circuitos integrados |
- Calificado para los usos automotrices
- AEC-Q100 calificó con los resultados siguientes
- Grado 1 de la temperatura del dispositivo
- Nivel 1C de la clasificación de HBM ESD del dispositivo
- Nivel C4A de la clasificación del dispositivo CDM ESD
- Impulsiones un Alto-lado y canal N del Bajo-lado
MOSFET
- corriente de salida máxima 1-A (1.0-A Sink/1.0-A
Fuente)
- Entradas compatibles de la independiente TTL/CMOS
- Voltaje de fuente del tirante a 108-V DC
- Tiempos de propagación rápidos (30 ns típicos)
- Carga de las impulsiones 1000-pF con 15 subidas y caída del ns
Épocas
- El hacer juego excelente del retraso de propagación (2 ns
Típico)
- Cierre del Debajo-voltaje del carril de la fuente
- Bajo consumo de energía
- Paquete Termal-aumentado WSON-8
El LM5109B-Q1 es un conductor rentable, de alto voltaje de la puerta diseñado para conducir el alto-lado y los MOSFETs del canal N del bajo-lado en un dólar síncrono o una media configuración del puente. El conductor flotante del alto-lado es capaz del trabajo con los voltajes hasta 90 V. del carril. Las salidas se controlan independientemente con los umbrales compatibles de la entrada de la lógica de TTL/CMOS. La tecnología llana robusta del cambio actúa en la velocidad mientras que consume energía baja y proporciona transiciones llanas limpias desde la lógica de la entrada de control al conductor de la puerta del alto-lado. el cierre del Debajo-voltaje se proporciona en el bajo-lado y los carriles del poder del alto-lado. El dispositivo está disponible en el WSON termalmente aumentado (8) los paquetes.
