Gestión ICs Texas Instruments /TI UCC27211DRMT del poder
| Módulo de ECAD |
Símbolo, huella y modelo 3D del PWB |
| Halógeno libre |
Obediente |
| EOL Date estimado |
2031 |
Piezas alternativas
(Referencia recíproca) |
NCP5106BDR2G; NCP5106ADR2G; MAX5063AASA+T; MAX5063CASA+; |
| ECCN |
EAR99 |
| Fecha de introducción |
1 de octubre de 2011 |
| Apellido |
UCC27211 |
| Situación de la oferta y de la demanda |
Limitado |
| Amenaza falsa en el mercado libre |
los 40 PCT. |
| Renombre |
Medio |
| Número de parte de la fuente del triunfo |
798690-UCC27211DRMT |
| Montaje |
SMD |
| Tiempo de la subida/caída (tipo) |
7.2ns, 5.5ns |
| Gama de temperaturas de funcionamiento |
-40°C ~ 140°C (TJ) |
| Paquete |
8-VDFN expuso el cojín |
| Voltaje de la lógica - VIL, VIH |
1.3V, 2.7V |
| Voltaje de fuente de funcionamiento |
8 V ~ 17 V |
| Fabricante Package |
8-VSON (4x4) |
| Alto voltaje lateral - máximo (tirante) |
120V |
| Actual - salida máxima (fuente, fregadero) |
4A, 4A |
| Tipo de canal |
Independiente |
| Empaquetado |
Paquete del carrete |
| Fabricante |
Texas Instruments |
| Categorías |
Circuitos integrados (ICs) |
| Tipo de la puerta |
MOSFET del canal N |
| Número de conductores |
2 |
| Configuración conducida |
Semipuente |
- Conduce dos MOSFETs del canal N en Alto-lado
y configuración del Bajo-lado con la independiente
Entradas
- Voltaje máximo 120-V DC de la bota
- 4-A fregadero, corrientes de salida de la fuente 4-A
- resistencia del Pullup 0.9-Ω y de la desconexión
- Los pernos entrados pueden tolerar – 10 V a 20 V y son
Independiente de la gama del voltaje de fuente
- TTL o versiones entradas compatibles Pseudo-Cmos
- 8-V al rango de operación de 17-V VDD, (absoluto 20-V
Máximo)
- subida 7.2-ns y tiempo de caída de 5,5 ns con 1000-pF
Carga
- Tiempos de retraso rápidos de propagación (18 ns típicos)
- el hacer juego del retraso 2-ns
- Cierre simétrico del Undervoltage para el Alto-lado
y conductor del Bajo-lado
- Todo el estándar industrial empaqueta disponible (SOIC-8,
PowerPAD™ SOIC-8, 4 milímetros de × 4 milímetro SON-8
y 4 milímetros de × 4 milímetro SON-10)
- De 40 a 140 °C especificado
Los conductores UCC27210 y UCC27211 se basan en conductores del MOSFET popular UCC27200 y UCC27201, pero ofrecen varias importantes mejoras en el rendimiento. La salida máxima levanta y la corriente del tirón-abajo se ha aumentado a la fuente 4-A y al fregadero 4-A, y levanta y la resistencia del tirón-abajo se ha reducido a 0,9 Ω, de tal modo permitiendo conducir los MOSFETs del poder grande con pérdidas que cambiaban minimizadas durante la transición a través de Miller Plateau del MOSFET. La estructura de la entrada puede ahora manejar directamente – 10 VDC, que aumenta robustez y también permite el interfaz directo a los transformadores de la puerta-impulsión sin usar los diodos de la rectificación. Las entradas son también independiente del voltaje de fuente y tienen un grado máximo de 20-V.
El nodo que cambia (perno del HS) del UCC2721x puede dirigir – el máximo de 18 V que permite que el canal del alto-lado sea protegido contra voltajes negativos inherentes causó inductancia parásita y capacitancia perdida. Los UCC27210 (entradas Pseudo-Cmos) y UCC27211 (entradas de TTL) han aumentado histéresis permitiendo para el interfaz a los reguladores análogos o digitales de PWM con inmunidad de ruido aumentada.
Los conductores del bajo-lado y de la puerta del alto-lado se controlan y se hacen juego independientemente a 2 ns entre el turnon y la salida de uno a.
Un en-microprocesador 120-V valoró el diodo del tirante elimina los diodos discretos externos. El cierre del Undervoltage se proporciona para el alto-lado y los conductores del bajo-lado que proporcionan comportamiento simétrico del turnon y de la salida y que fuerzan las salidas bajas si el voltaje de la impulsión está debajo del umbral especificado.
Ambos dispositivos se ofrecen en el perno 8 SOIC (d), PowerPAD SOIC-8 (DDA), 4 paquetes milímetro de × 4 milímetro SON-8 (DRM) y SON-10 (DPR).
