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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Arrays de transistores bipolar

Corriente - colector (Ic) (máximo) :800mA

Estado del producto :Actividad

Tipo de montaje :A través del agujero

Paquete :Cuadro

Serie :-

Vce saturación (máx) @ Ib, Ic :1V @ 50mA, 500mA

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :40 V

Paquete de dispositivos del proveedor :TO-18

El Sr. :Solid-state Inc.

Corriente - límite del colector (máximo) :10nA

Potencia - máximo :1.2W

Envase / estuche :TO-206AA, metal TO-18-3 puede

Temperatura de funcionamiento :-65°C ~ 200°C (TJ)

La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce :75 @ 10mA, 10V

Número del producto de base :2N2222

Descripción :NPN SIL TRANS TO18 (en inglés)

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Bipolar (BJT) Transistor Array 40V 800mA 1.2W a través del agujero TO-18

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