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Canal de vídeo
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :5.3V
Categoría de productos :Transistores bipolares de RF
Ganancias :12.5 dB
Tipo de transistor :NPN (número de origen)
Cantidad mínima :3000
Paquete del dispositivo del proveedor :UFM
Figura de ruido (dB Tipo @ f) :1.45 dB @ 1 GHz
Estado de la parte :Actividad
Corriente - colector (Ic) (máximo) :El valor de las emisiones
La potencia es máxima. :900mW
Embalaje :Cintas y bobinas (TR)
Frecuencia - Transición :11.2GHz
La corriente continua de ganancia (hFE) (min) @ Ic, Vce :200 @ 30mA, 5V
Temperatura de funcionamiento :150°C (TJ)
Envase / estuche :3-SMD, ventajas planas
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Serie :-
Fabricante :Semiconductor de Toshiba
Descripción :RF SIGE HETEROJUNCCIÓN BIPOLAR N
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