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Paquete del dispositivo del proveedor :8-TSSOP
Categoría de productos :MOSFET
Cantidad mínima :4000
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de la temperatura de la atmósf
Envase / estuche :8-TSSOP (0.173" , anchura de 4.40m m)
Estado de la parte :No está disponible
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero. :4.8A
Embalaje :Cintas y bobinas (TR)
Temperatura de funcionamiento :-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tipo de FET :Canal N 2 (dual)
Característica de las FET :Puerta del nivel de la lógica
Voltado de salida a la fuente (Vdss) :20 V
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el siguiente:
Rds En (máximo) @ Id, Vgs :El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones
La potencia es máxima. :1.2W
Vgs(th) (máximo) @ Id :1.2V @ 250µA
Serie :HEXFET®
Fabricante :Tecnologías Infineon
Descripción :MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
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