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IRF1404STRLPBF

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IRF1404STRLPBF

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Polaridad del transistor :N-canal
Tecnología :Si
Categoría de productos :MOSFET
Estilo de montaje :DSM/SMT
Temperatura mínima de funcionamiento :- 55 C
Envase / estuche :TO-263-3
Temperatura máxima de funcionamiento :+ 175 C
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje :40 V
Embalaje :El rollo
Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta :4 V
Id - Corriente de drenaje continua :162 A
Rds En - Resistencia a la fuente de drenaje :3.5 mOhms
Número de canales :1 Canal
Vgs - Tensión de la fuente de la puerta :20 V
Qg - Carga de la puerta :160 después de Cristo
Fabricante :IR / Infineon
Descripción :MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC
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