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IRFU5410PBF

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Supresores de los diodos/ESD de las TV

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Transistores bipolares de RF

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Buffers del reloj, conductores

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Diodos - fines generales, poder, transferencia

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Microcontroladores Módulos FPGA de microprocesador

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Microprocesadores

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PLD (dispositivo lógico programable)

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Transistores bipolares - BJT

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El análogo cambia - propósito especial

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Módulos de IGBT

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Interruptores análogos, multiplexores, demultiplexores

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MOSFET

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ICs especializados

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Módulos

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Almacenadores intermediarios, conductores, receptores, transmisores-receptores

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Transmisores-receptores del autobús

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Controladores de motores, controladores

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Puertas de lógica

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En la parte delantera analógica - AFE

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PFC (corrección de factor de poder)

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Conductor Modules del poder

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Conversores analógicos a digitales - ADC

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Interruptores de distribución de energía, controladores de carga

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Administración de energía - Especializada

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Memoria flash

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IC de regulador de potencia de RF

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Memoria - Configuración FPGA

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Reguladores de Voltaje - Lineales

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Reguladores de Voltaje - Lineal + Conmutación

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Circuitos integrados convertidores A/D de audio

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Poderes para la Junta

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Los controladores de pantalla LED

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MOSFET Optoacopladores de salida

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Conversores de CA/CC

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Corrección del factor de potencia - PFC

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Microprocesadores - MPU

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Arrays de transistores bipolares

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Polaridad del transistor :P-canal
Tecnología :Si
Categoría de productos :MOSFET
Estilo de montaje :A través del agujero
Envase / estuche :TO-251-3
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje :- 100 V
Embalaje :El tubo
Id - Corriente de drenaje continua :- El 13 A.
Rds En - Resistencia a la fuente de drenaje :205 mOhms
Número de canales :1 Canal
Vgs - Tensión de la fuente de la puerta :20 V
Qg - Carga de la puerta :38.7 nC
Fabricante :Tecnologías Infineon
Descripción :MOSFET MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38,7nC
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