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Categoría de productos :MOSFET
Vgs (máximo) :± 20 V
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero. :5.1A (TA)
Tipo de FET :N-canal
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :38nC @ 10V
Fabricante :Tecnologías Infineon
Cantidad mínima :1
Válvula de encendido (máx Rds encendido, mín Rds encendido) :10 V
Temperatura de funcionamiento :-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Característica de las FET :-
Serie :HEXFET®
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :El valor de las emisiones de dióxido de carbono se calculará en función de las emisiones de dióxido
Paquete del dispositivo del proveedor :8 SO
Embalaje :El tubo
Rds En (máximo) @ Id, Vgs :El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones
Disposición de energía (máximo) :2.5W (TA)
Envase / estuche :8-SOIC (0.154" , anchura de 3.90m m)
Tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (máximo) @ Id :5V @ 100µA
Voltado de salida a la fuente (Vdss) :Las demás:
Descripción :MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC, para el cual se utiliza el sistema de transmisión por cable
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