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Transistores bipolares de RF

Buffers del reloj, conductores

Rectificadores

diodos varactores

Microcontroladores

Diodos - fines generales, poder, transferencia

Microcontroladores Módulos FPGA de microprocesador

Diodos Zener

Microprocesadores

PLD (dispositivo lógico programable)

Transistores bipolares - BJT

El análogo cambia - propósito especial

Módulos de IGBT

Interruptores análogos, multiplexores, demultiplexores

MOSFET

Controladores, receptores, transceptores

Transistores bipolares - pre-biasados

Codificadores, decodificadores, convertidores

Transistores IGBT

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Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Arrays de transistores bipolar

Corriente - colector (Ic) (máximo) :100 mA, 500 mA

Estado del producto :No está disponible

Tipo de transistor :1 NPN Previado, 1 PNP

Frecuencia - Transición :-

Tipo de montaje :Montura de la superficie

Paquete :Cintas y bobinas (TR)

Serie :-

Vce saturación (máx) @ Ib, Ic :Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se determinarán en función de l

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :50 V, 12 V

Paquete de dispositivos del proveedor :Se trata de la SOT-563.

Resistencia - Base (R1) :47 kOhms

El Sr. :en semi

Resistencia - Base del emisor (R2) :47 kOhms

Corriente - límite del colector (máximo) :500 nA

Potencia - máximo :500 mW

Envase / estuche :La Comisión ha adoptado la presente Decisión en virtud del apartado 2 del artículo 3 del Reglamento

La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce :El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable será el valor de las emision

Número del producto de base :El valor de las emisiones emitidas

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Transistores bipolares prebiasados (BJT) 1 NPN Prebiasados, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 500mW Montado de superficie SOT-563

Carro de la investigación 0

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