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Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:Mrxiao

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores Bipolaridad (BJT) Arrays de transistores bipolar

Corriente - colector (Ic) (máximo) :500 mA

Estado del producto :No está disponible

Tipo de transistor :8 NPN Darlington

Tipo de montaje :A través del agujero

Frecuencia - Transición :-

Paquete :El tubo

Serie :-

Vce saturación (máx) @ Ib, Ic :1.6V @ 500μA, 350mA

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :50 V

Paquete de dispositivos del proveedor :18-DIP

El Sr. :Toshiba Semiconductor y almacenamiento

Corriente - límite del colector (máximo) :-

Potencia - máximo :1.47W

Envase / estuche :18-DIP (0,300", 7.62m m)

Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 85 °C (TA)

La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce :Se aplicarán las siguientes medidas:

Número del producto de base :ULN2803

Descripción :Transmisión 8NPN DARL 50V 0,5A 18DIP

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Arsenal bipolar 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.47W del transistor (BJT) a través del agujero 18-DIP

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