Corriente de fuga del emisor de la puerta :nA 100
Categoría de productos :Transistores IGBT
Estilo de montaje :A través del agujero
Corriente continua en el colector a 25 ° C :33A
Paladio - disipación de poder :Las demás:
Voltado del colector-emittor VCEO máximo :1,2 kilovoltios
Envase / estuche :TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamiento :+ 175 C
Voltado máximo del emisor de la puerta :+/- 30 V
Embalaje :El tubo
Configuración :No casado
Voltado de saturación del colector emisor :2,05 V
Fabricante :IR / Infineon
Descripción :Transistores IGBT Trincado IGBT 1200V 10A IGBT único
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