Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd

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IRG7PH30K10PBF

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Ciudad:shenzhen
País/Región:china
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IRG7PH30K10PBF

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Corriente de fuga del emisor de la puerta :nA 100
Categoría de productos :Transistores IGBT
Estilo de montaje :A través del agujero
Corriente continua en el colector a 25 ° C :33A
Paladio - disipación de poder :Las demás:
Voltado del colector-emittor VCEO máximo :1,2 kilovoltios
Envase / estuche :TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamiento :+ 175 C
Voltado máximo del emisor de la puerta :+/- 30 V
Embalaje :El tubo
Configuración :No casado
Voltado de saturación del colector emisor :2,05 V
Fabricante :IR / Infineon
Descripción :Transistores IGBT Trincado IGBT 1200V 10A IGBT único
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El IRG7PH30K10PBF, de IR / Infineon, son transistores IGBT. lo que ofrecemos tienen un precio competitivo en el mercado global, que están en piezas originales y nuevas.Si desea obtener más información sobre los productos o solicitar un precio más bajo, póngase en contacto con nosotros a través del chat en línea o envíenos un presupuesto!
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