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Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd

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HGTG20N60A4D

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HGTG20N60A4D
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Corriente de fuga del emisor de la puerta :+/- 250 nA
Categoría de productos :Transistores IGBT
Estilo de montaje :A través del agujero
Corriente continua en el colector a 25 ° C :70 A
Paladio - disipación de poder :290 W
Voltado del colector-emittor VCEO máximo :Las demás:
Envase / estuche :TO-247-3
Temperatura máxima de funcionamiento :+ 150 °C
Voltado máximo del emisor de la puerta :+/- 20 V
Embalaje :El tubo
Configuración :No casado
Voltado de saturación del colector emisor :1,8 V
Fabricante :Semiconductor Fairchild
Descripción :Transistores IGBT de 600 V
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