Categoría de productos :MOSFET
Vgs (máximo) :± 20 V
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero. :65A (Tc)
Tipo de FET :N-canal
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el siguiente:
Fabricante :Tecnologías Infineon
Cantidad mínima :2000
Válvula de encendido (máx Rds encendido, mín Rds encendido) :4.5V y 10V
Temperatura de funcionamiento :-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Característica de las FET :-
Serie :HEXFET®
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :1030 pF @ 15V
Paquete del dispositivo del proveedor :D-PAK
Estado de la parte :Actividad
Embalaje :Cintas y bobinas (TR)
Rds En (máximo) @ Id, Vgs :8.4 mOhm @ 25A, 10V
Disposición de energía (máximo) :El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:
Envase / estuche :TO-252-3, DPak (2 Pistas + Tab), SC-63
Tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (máximo) @ Id :2.35V @ 25μA
Voltado de salida a la fuente (Vdss) :30 V
Descripción :MOSFET N-CH 30V 65A DPAK, para el cual se utiliza el sistema de control de velocidad
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