Categoría de productos :MOSFET
Vgs (máximo) :± 20 V
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero. :80A (Tc)
Tipo de FET :N-canal
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :170nC @ 10V
Fabricante :Tecnologías Infineon
Cantidad mínima :1000
Válvula de encendido (máx Rds encendido, mín Rds encendido) :10 V
Temperatura de funcionamiento :-55 °C ~ 175 °C (TJ)
Característica de las FET :-
Serie :OptiMOS™
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :Se aplicarán los siguientes requisitos:
Paquete del dispositivo del proveedor :PG-TO263-3-2
Estado de la parte :No está disponible
Embalaje :Cintas y bobinas (TR)
Rds En (máximo) @ Id, Vgs :4.8 mOhm @ 80A, 10V
Disposición de energía (máximo) :300W (Tc)
Envase / estuche :TO-263-3, D2Pak (2 plumas + pestaña), TO-263AB
Tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (máximo) @ Id :4V @ 250µA
Voltado de salida a la fuente (Vdss) :55V
Descripción :MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 y otros componentes
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