Categoría de productos :MOSFET
Vgs (máximo) :± 20 V
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero. :120mA (TA)
Tipo de FET :N-canal
Tipo de montaje :Montura de la superficie
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :4.9nC @ 5V
Fabricante :Tecnologías Infineon
Cantidad mínima :1000
Válvula de encendido (máx Rds encendido, mín Rds encendido) :0V, 10V
Temperatura de funcionamiento :-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Característica de las FET :Modo de agotamiento
Serie :SIPMOS®
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :Las emisiones de gases de efecto invernadero
Paquete del dispositivo del proveedor :PG-SOT223-4
Embalaje :Cintas y bobinas (TR)
Rds En (máximo) @ Id, Vgs :45 Ohm @ 120 mA, 10 V
Disposición de energía (máximo) :1.8W (TA)
Envase / estuche :Se trata de un sistema de gestión de la seguridad.
Tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Vgs(th) (máximo) @ Id :1V @ 94μA
Voltado de salida a la fuente (Vdss) :Las demás:
Descripción :MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223: las emisiones de dióxido de carbono y de dióxido de carbono de las c
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