Polaridad del transistor :N-canal
Tecnología :Si
Categoría de productos :MOSFET
Estilo de montaje :DSM/SMT
Envase / estuche :TO-252-3
Temperatura máxima de funcionamiento :+ 175 C
Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje :Las demás:
Embalaje :El rollo
Vgs th - Tensión de umbral de la fuente de la puerta :4 V
Id - Corriente de drenaje continua :106 A
Rds En - Resistencia a la fuente de drenaje :7 mOhms
Número de canales :1 Canal
Qg - Carga de la puerta :220 después de Cristo
Fabricante :Tecnologías Infineon
Descripción :MOSFET MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
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