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Shenzhen Century Tongxin Electronics Co., Ltd

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:Mrxiao

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FP35R12W2T4BOMA1

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Categoría :Productos discretos de semiconductores Transistores Los IGBT Módulos IGBT

Corriente - colector (Ic) (máximo) :54 A

Estado del producto :Actividad

Tipo de montaje :Montura del chasis

Paquete :Envases

Serie :EasyPIMTM

Envase / estuche :Módulo

Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic :2.25V @ 15V, 35A

Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo) :Las demás:

Paquete de dispositivos del proveedor :Módulo

El Sr. :Tecnologías Infineon

Temperatura de funcionamiento :-40 °C ~ 150 °C

Corriente - límite del colector (máximo) :1 mA

Tipo de IGBT :Parada en el campo de trincheras

Potencia - máximo :215 W

Ingreso :Estándar

Capacidad de entrada (Cies) @ Vce :2 nF @ 25 V

Configuración :Inversor de tres fases

El termistor NTC :- ¿ Qué?

Número del producto de base :FP35R12: las condiciones de los productos

Descripción :El número de módulos IGBT es el siguiente:

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Módulo IGBT Parada de campo de zanja Inverter de tres fases 1200 V 54 A 215 W Módulo de montaje del chasis

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