Hong Kong Jia Li Xin Technology Limited

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Productos semiconductores discretos simples de 4 mOhms IRF1404PBF 333W

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Hong Kong Jia Li Xin Technology Limited
País/Región:china
Persona de contacto:MrAndy
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Productos semiconductores discretos simples de 4 mOhms IRF1404PBF 333W

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Número de modelo :IRF1404PBF
Lugar de origen :Original
Cantidad mínima de pedido :10 piezas
Términos de pago :LC, T/T, Western Union, MoneyGram, Panply
Capacidad de suministro :1000000pcs/days
El tiempo de entrega :1-3 días laborables
detalles del empaque :Embalaje estándar
Descripción/Paquete :MOSFET 40V 202A 4mOhm 160nC
Garantía :180 días
Calidad :100% originales 100% marca
Envío por :China Post/DHL/FEDEX/UPS/TNT/DPEX/KAS
Descripción :Lista de lista de materiales Cotización
Tiempo de espera :1-3 días laborables
ROHS :
Condición :Componentes electrónicos
Escribe :CI
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MOSFET IC de los componentes electrónicos de los chips IC del circuito integrado IRF1404PBF

DESCRIPCIÓN DEL PRODUCTO

Número de parte #IRF1404PBFes fabricado porInfineonTechnologies y distribuido por Jalixin.Como uno de los principales distribuidores de productos electrónicos, contamos con muchos componentes electrónicos de los principales fabricantes del mundo.

Para más información sobreIRF1404PBFespecificaciones detalladas, cotizaciones, plazos de entrega, condiciones de pago y más, no dude en contactarnos.Para procesar su consulta, agregue la cantidadIRF1404PBFa tu mensaje.Envíe un correo electrónico a andy@szjialixin.com para obtener una cotización ahora.

PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Fabricante: Infineon
Categoria de producto: MOSFET
Tecnología: Si
Estilo de montaje: A través del orificio
Paquete / Caja: TO-220-3
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión disruptiva drenaje-fuente: 40 voltios
Id - Corriente de drenaje continua: 202 un
Rds On - Resistencia drenaje-fuente: 4 mOhmios
Vgs - Voltaje de puerta-fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: 2 voltios
Qg - Carga de puerta: 160 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: - 55C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 175C
Pd - Disipación de potencia: 333W
Modo de canal: Mejora
Embalaje: Tubo
Marca: Tecnologías de Infineon
Configuración: Único
Altura: 15,65 mm
Longitud: 10mm
Tipo de producto: MOSFET
Subcategoría: MOSFET
Tipo de transistor: 1 canal N
Ancho: 4,4 mm
Alias ​​de parte #: IRF1404PBF SP001561374
Unidad de peso: 0,068784 onzas

Productos semiconductores discretos simples de 4 mOhms IRF1404PBF 333W

Productos semiconductores discretos simples de 4 mOhms IRF1404PBF 333W

Preguntas más frecuentes

1. ¿Quiénes somos?
JIALIXIN se estableció en 2010, hay 12 años de experiencia en el suministro de componentes electrónicos, incluidos 10 años de experiencia para ofrecer el servicio de BOM Kitting.

2. ¿Cómo podemos garantizar la calidad?
Nuestra empresa tiene un departamento de control de calidad especial y tenemos una máquina de prueba profesional para probar.Tomaremos fotos de usted y enviaremos documentos a los clientes antes del envío.Nuestros productos son todos de agencia o fuente original, y serán revisados ​​antes del envío.

3. ¿Proporcionan el servicio de listado de listas de materiales?
SÍ, claro, contáctenos y envíenos su BOM, verificaremos el mejor precio para usted. JIALIXIN 10 años de experiencia para ofrecer el servicio de BOM Kitting.

4. ¿Por qué debería comprarnos a nosotros y no a otros proveedores?
1) Ventaja puntual, tenemos almacenes que pueden satisfacer las necesidades de materiales que se necesitan con urgencia.
2) ventaja de la agencia, cooperamos con agentes autorizados.Para algunos materiales solicitados a largo plazo, envíenos el precio objetivo para la aplicación y podemos negociar con el agente para organizar los pedidos.

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